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鉅亨網編譯吳國仲 綜合外電　　2011-09-22 11:35

三星電子 (005930-KR) 周四宣布，設在南韓的 NAND 快閃記憶晶片新廠正式投入營運。該公司同時表示，已啟動 20 奈米級製程的 DDR3 DRAM 量產，可望提高生產效率並降低能源消耗。

三星聲明表示，位在南韓京畿道的新廠 16 產線 (line-16)，去年 5 月開始建造，今年 5 月完成無塵室的設備安裝。

三星表示，公司計畫加快生產 NAND 快閃記憶體以因應市場需求，明年也將開始採用更先進的 10 奈米製程等級的技術生產晶片。

NAND 快閃記憶晶片，廣泛用於音樂播放器及數位相機等行動設備的資料儲存；DRAM 則多見於個人電腦。

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單條八G的時代會來嗎？