引用:
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作者liccaba
等一下 我再重新解釋這2句話的定義
在低電壓下有 37 %效能增進 表示的應該是在低電壓下才有效能增進
如果把電壓調高就沒有效能增進 意思也就是在低電壓下可以跑出比之前更高的效能
在固定效能下有降低 >50% 功耗 表示的應該是在某個預設時脈下 功耗可以降低
但時脈調高後 功耗就會暴增 意思也就是在低時脈下可以比之前更省電
如果是這樣 受益最大的應該是筆電和HTPC和低階CPU 每瓦效能可以大幅提高
但中高階的應該就受益不到 這就好像是一種邊際效應一樣
當你要突破這條界線時 所要付出代價必需增加好幾倍
我玩線上遊戲也是這樣 頂的裝備比普通的裝備好1~2倍 但價格卻會暴增10~20倍以上
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我不是相關專業出身 所以有誤還請糾正
這邊的電晶體效能與耗電都是跟 32nm Bulk 製程比較 (這次P1270 製程還有導入 High-K 跟 Tri-gate)
討論電晶體特性都會討論 Delay (Performance, 頻率) / Leakage (Power Consumption) 與電壓之間的關係
通常而言 電壓越大 Delay 越低, Leakage 越大, 製程間的特性曲線也不太一樣
引自pc.watch
在相較於32nm Bulk 製程, 22nm Tri-gate 可以在相同頻率下以75% - 80%的作業電壓下作業, Active Power 有50%的降低.
引自anandtech
在固定電壓狀況下, 在低電壓(0.7)有37%的效能增進, 在高電壓(1V) 也有18%增進..
這些特性幾乎有跨兩個Process node的表現...