這標題還真的是有點同感喔, 不過是對SSD有感而發...

intel/Micron的IM flash製程已經邁入25nm了(傳說中的G3 SSD series開賣了), 自然耐用度也是隨之下降, 等製程往下走到某各程度後, 現在的floating gate based NAND我是認為就差不多要退出SSD了.

Samsung多年前就開始在搞PRAM(or called PCM), PRAM的優點就是不會隨著製程微縮而影響耐度用(或是影響比NAND少非常多), 要是真的PRAM被Samsung拱起來, 那麼controller IC也要全部砍掉重練, semi-storage又是整個改朝換代...