在擔憂上游矽晶圓缺貨之下，DRAM現貨報價全面大漲，DDR3 2Gb品牌顆粒與eTT顆粒，勁揚6.79~7.25％，品牌顆粒報2.14美元；快閃型記憶體（NAND Flash）更出現暴漲走勢，32Gb MLC最後一盤價格飆漲20.48％。
日本東北大地震之後的第一個交易日，記憶體類股表現兩樣情，爾必達因廣島廠位居日本，即使該廠已恢復生產，仍不敵3月合約價沒有順利起漲的失望性賣壓，引動日本現股殺盤，單日重挫12.14％，收盤價跌破1,000日圓大關，爾必達台灣TDR開盤即無量跌停；但日系以外DRAM廠像韓國三星漲 4.4％，海力士漲8.7％，台灣力晶、南科、華亞科均漲停。
在狀況未明之下，記憶體顆粒原廠三星、Hynix、力晶（5346）聯手停止報價。
日本東北大地震對半導體產業衝擊仍在估計當中，但是記憶體報價卻因為NAND Flash供應商東芝的工廠位於日本東北，以及DRAM顆粒原廠評估震後損失暫停報價，導致DRAM與NAND現貨先漲再說，雙雙上演飆漲走勢。
集邦科技指出，受到半導體的矽晶圓供貨吃緊影響，在DRAM現貨市場方面，韓國三星、Hynix開始停止報價，力晶已經暫停DRAM現貨報價。
