作者seiya2000

你是不是把Flash memory跟DRAM搞混了，DRAM沒有所謂讀取次數的限制，所以拿DRAM做ramdisk也不會有早夭的問題。

小知識

在Flash Memory技術中，顆粒將分為3種：

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次讀寫壽命

MLC =Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次讀寫壽命。此為43奈米製程

TLC = Triple-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500次讀寫壽命，技術還在逐漸成長中。此為32/35奈米製程(因35奈米製程無法使用在MicroSD中，故目前已逐漸轉為32奈米製程)