作者工商時報

三星決定減少今年DRAM資本支出，DRAM現貨價格應聲強彈，昨（28）日現貨市場各種規格DRAM全面大漲，其中DDR3 2Gb eTT現貨兩天大漲超過15％，DDR3 2Gb品牌顆粒單日也大漲逾10％，報價2.22美元，2個交易日合計漲幅近20％，漲幅拉大。 　

受到現貨價大漲激勵，以現貨市場的力晶，與以合約市場為主的南科封關日連袂登上漲停；記憶體模組廠漲勢更為強勁，品安、商丞連袂登上漲停，勁永終場以大漲6.33％收市，記憶體上下游個股漲勢頗為整齊。 　

南科在日前法說會指出，目前DDR3 1Gb價格接近變動成本，DDR3 2Gb跌破製造成本，但距離變動成本還有段距離，因此DRAM下跌空間已不大，再大幅重挫機率不高，但價格要強力反彈仍有待觀察。 　

南科指出，目前通路上仍有庫存待消化，農曆年之前拉貨潮也不明顯，如果庫存消化夠快，估計第1季底至第2季有機會反彈。 　

業者指出，過去4個月DRAM價格跌勢驚人，幾乎將2008年至2009年漲幅一次跌掉，加上去年下半年換機潮未形成潮流，導致這一波景氣探底速度超過預期。 　

以目前財報來看，標準型DRAM廠去年第4季全軍覆沒，全數虧損，僅旺宏、華邦電因轉往利基型領域，旺宏單季獲利11億元，華邦電單季小賺3,000萬元。