三星已將1.2V 2GB的未緩衝DDR4雙線記憶體模組(UDIMM)提供給控制器製造商進行測試。目前，三星正計畫與多家伺服器業者合作，希望能在今年下半年完成DDR4 的JEDEC標準化作業。

三星電子(Samsung Electronics)週二(1/4)宣佈，已率先業界於上個月完成DDR4 DRAM模組的開發，採用30奈米等級(class)製程技術。

三星表示，此新款DDR4 DRAM模組在1.2V條件下，能達到2.133 Gbps的資料傳輸率，若應用在筆記型電腦，可較1.5V的DDR3模組節省40%的功耗。

此模組採用已用在高效能繪圖DRAM的偽開放汲極(Pseudo Open Drain)新技術，可讓DDR4 DRAM在讀取和寫入資料時，僅需消耗DDR3一半的電流。

透過採取新的電路架構，這款DDR4的傳輸速度範圍為1.6Gps至3.2Gps，相較於目前DDR3的1.6Gbps和DDR2的800Mbps有顯著的提升。

上個月底，三星已將1.2V 2GB的未緩衝DDR4雙線記憶體模組(UDIMM)提供給控制器製造商進行測試。目前，三星正計畫與多家伺服器業者合作，希望能在今年下半年完成DDR4 的JEDEC標準化作業。

三星多年來一直領先DRAM技術開發，它於1997年開發出DDR DRAM技術、2001年發表DDR2 DRAM、2005年推出採用80奈米等級製程技術的首款DDR3 DRAM。


新聞來源:
http://www.ithome.com.tw/itadm/article.php?c=65355

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http://www.mobile01.com/topicdetail...1&last=25018367


我看這些台灣記憶體廠收一收算了，力晶和茂德還跟銀行提出債務協商哩 ，就算大難不死沒倒，以後也只能跟著三星後頭，撿人家不削做的代工吧了 。