作者DIGITIMES

2010年是DRAM產業世代交替年，不但是2Gb晶片要取代1Gb晶片的產品世代交替，製程技術也全數轉入50/40奈米製程，逐漸淘汰70/60奈米舊製程技術；不論是產品或是製程技術的世代交替，幾乎都是2大韓系DRAM廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)引領潮流。

2Gb晶片2010年正式取代1Gb晶片登上主流之路，原本最早量產 2Gb晶片的是三星和海力士兩大系大廠，2010年下半年開始美光(Micron)和爾必達(Elpida)在50奈米和45奈米製程陸續轉進成功，且開始大量產出下，也正式加入2Gb晶片之列，全球4大DRAM陣營同步進入世代交替。

在製程技術方面，爾必達2010年上半技術還是以65奈米製程為主，之後導入微縮版63奈米製程，當時沒有直接跳進50奈米或是40奈米製程，主要是考慮浸潤式曝光機(Immersion Scanner)價格太高，加上機台嚴重缺貨，因此先導入微縮版的63奈米因應。

爾必達的63奈米相較65奈米成本可下降20%，且幾乎不需要換夠新機器設備，但最大缺點是63奈米製程只能生產1Gb晶片，不能生產2Gb晶片，也因此爾必達在45奈米製程量產後，63奈米製程立刻功臣身退。

爾必達在下半年已成功轉進45奈米製程，世代交替任務完成一大半，之後是協助轉投資的瑞晶和合作伙伴力晶也完成製程世代交替，將12吋晶圓廠的產能全數轉進45奈米製程。

美光2010年下半年也正式轉進50奈米製程，且下一世代的42奈米製程是同步進行，以美光的技術來看，42奈米是50奈米製程的微縮版本，因此公司對新技術相當有信心；再者，隨著50奈米製程大量產出，美光2Gb晶片也大量產出，大量加入市場大戰，2011年42奈米製程更將躍升主流。