拓墣：明年DRAM成長 負20％

　今年半導體產業大幅成長30％，創下最近10年以來新高紀錄，然受到PC需求減緩衝擊，拓墣產業研究所預估，由於2010年基期已高，2011年晶圓代工產業將僅成長5.5％，DRAM產業則因供過於求陰影，將呈現負20％成長，每Gb價格預估降至1.2美元至1.4美元的低水準，僅一線國際廠商有機會獲利，有暗喻台系廠商將持續虧損之意。

　拓墣研究所表示，晶圓代工和DRAM產業，2010年將各成長40％和80％，不過由於全球景氣緩慢復甦，加上2010年基期已高，2011年晶圓代工業產值預估仍僅將小幅度增長5.5％；DRAM產業則因供過於求，將繳出負成長20％的成績，台廠處境愈顯艱困。

　拓墣指出，2010年DRAM整體營收成長80％，是有史以來最好的一年，韓廠因此獲利大增、排名上升，三星半導體前9月總營收即達315.4億美元（28.39兆韓元），直逼英特爾營收規模；但台廠除力晶及瑞晶之外，南科、茂德及華亞科營收皆不如預期。

　拓墣預估，2011年全球DRAM整體營收將較2010年下滑20％，僅322億美元，ASP(平均產品售價)也恐降至每Gb僅1.2美元至1.4美元的低水準，只有三星半導體等具有成本優勢之大廠可能獲利。

　拓墣也建議台灣廠商要趁早布局Mobile DRAM，Mobile DRAM不僅具備省電特性，最終產品型態也不同於一般記憶體模組。Mobile DRAM通常採用裸晶配合NAND Flash進行MCP封裝，或採用PoP（Package-on-Package）封裝。無論裸晶圓測試或MCP封裝都必須有完整的配套，台灣DRAM產業應即早切入，才能在Mobile DRAM市場佔一席之地。

　而行動雲端運算新趨勢興起，Mobile DRAM、NAND Flash在過程中將扮演更加重要角色。雖然NAND Flash需求量大，但由於各大NAND Flash廠紛紛透過擴產、製程微縮及採用部份TLC顆粒等三種方式來搶攻市占率，預估2011年將有微幅供過於求的狀況，但價格可望維持一定水準。

http://news.chinatimes.com/tech/0,5...0900316,00.html
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預計每Gb ASP在美金1.2-1.4 而目前是每Gb售價美金1.55-1.60
恩...