美光發佈34nm工藝長壽命企業級NAND閃存

2009-10-20

美光公司今天宣佈，他們已經開始試產34nm工藝的企業級閃存產品，其壽命比之前的民用級產品有數倍的提升。

美光NAND閃存從去年年底就開始進入34nm工藝時代，首批34nm MLC閃存寫入壽命只有1500次，只能使用在MP3、存儲卡、U盤等應用中，無法滿足固態硬盤的需要。今年2季度，美光推出了可用於固態硬盤使用的34nm閃存，MLC顆粒寫入壽命達到5000次，SLC顆粒壽命達到10萬次，再加上閃存控制器負載均衡技術的幫助，已經可以用於SSD。隨後在第三季度，每存儲單元可存放3bit數據的3bpc大容量34nm NAND閃存也開始投產。而今，終於來到了最後一步長壽命企業級閃存。美光表示，目前其整個NAND閃存生產線已經幾乎全部邁入34nm工藝。

美光表示，其34nm企業級閃存顆粒MLC版本寫入壽命可達3萬次，SLC版本達到30萬次，分別是之前民用產品的6倍和3倍。與此同時，由於支持ONFI 2.1同步接口，其數據傳輸率也有4到5倍的提升。其MLC版容量為32Gb，SLC版為16Gb，通過多die封裝技術可以製造出32GB MLC或16GB SLC顆粒。

目前，美光34nm工藝企業級閃存已經開始試產，預計明年年初實現量產。基於美光和Intel在閃存製造上的合作關係，我們可以預期屆時Intel的X25-E企業級固態硬盤也將升級到34nm。