◎DRAM市場
本周DRAM現貨市場在市場動能疲弱影響下，價格漲跌互見；縱觀一周來走勢，其中
DDR3 1Gb 1333MHz持續下跌，一周來下跌0.96%，周四收市價為2.07美元，面臨2美元關卡；不過DDR2部份，由於亞洲地區大多國家皆逢假期，市場報價相對減少，但有部份買家仍積極詢價，因此帶動價格反彈上揚，DDR2 1Gb 800MHz及DDR2 1Gb eTT一周來分別上漲1.69%及1.64%，周四收市價分別為1.8美元及1.86美元，為本周高位。
集邦科技表示，
面對DRAM顆粒價格急速崩跌，加速轉進新製程以求降低成本仍是DRAM廠存活的唯一途徑；
韓廠三星製程轉進速度最快，56奈米與 46奈米製程早已進入成熟期邁入量產行列，35奈米製程於今年第4季開始出貨給客戶，從成本上來看，35奈米製程比46奈米製程提升60%顆粒產出，成本可再降低30%。DRAMeXchange預估明年三星在製程上將領先其他同業，並有機會挑戰全球市佔率向上至40%。
◎NAND Flash市場
本周NAND Flash市場由於中秋假期影響，部份工廠陸續出現備貨動作，其中16Gb MLC及32Gb MLC有需求浮現，但因現貨供應量不足，實際成交量仍受限，顆粒價格小幅上漲；縱觀一周來走勢，其中16Gb MLC及32Gb MLC分別上漲1.49%及0.31%，周四收市價為4.77美元及6.38美元，不過32Gb TLC規格一周來則是下跌1.74%周四收市價為3.95美元。
集邦科技指出，在需求平淡及庫存水位偏高下，客戶對中國市場由中秋節到十月黃金週的長假庫存回補意願並不高，部份供應商因其記憶卡及UFD的客戶比率較高，在季底效應的影響下，便以較大幅度的降價手段來提振記憶卡客戶的採購需求。但部份供應商因其系統產品客戶比率較高，在旺季備貨訂單的穩定挹注下，定價策略則得以採取持穩或小跌的方式，來因應季底效應的影響，目前各家NAND Flash供應商因其客戶結構及掌握長單狀況的不同，故在定價策略上也有所差異。(新聞來源：商品行情網
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