引用:
作者u3350829
數字網站那篇就別看了,裡面一堆戰文...明明沒有新技術的情況下製程越小越先進
本來抹寫的次數就會降低...
舉個實際例子,在下公司先前有兩顆Intel G1 SSD兩顆G2,都跑同樣的平行運算
加解密測試,每天資料流量固定超過300GB,G1的兩顆撐到四個多月掛點,G2新
買的兩顆只有三個多月就送修,最後只能請公司花大錢買RAM DISK回來測.
雖然說在下公司這種使用方式完全是極端,但是50nm轉32nm就已經這樣,未來
2xnm情況只會更糟糕,現在是有廠商考慮用多層MLC取代SLC(等於80GB當
40GB用這樣)來做為給企業Server用SSD,不過還沒有任何實際產品出現就是...
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把Flash當成是電容來看不就得了(事實上原理也是相近)
用90nm作出來的好比1000uF,用34nm作出來的好比10uF,一樣用久會衰退掛點,90nm可以撐的比較久
SLC MLC TLC,就想說切換不同電壓的頻率,SLC只有一種電壓,MLC兩個以上,TLC更多
在不斷切換工作電壓下電器容易斷命,電容如此flash也是這般
