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日本網站PCWatch專欄作家後藤弘茂近日撰文，對下一代記憶體規格DDR4做了一番前瞻性介紹。新記憶體將給桌面、NB、伺服器、工作站再次帶來大幅度的性能提升，但也會顯著改變記憶體子系統的拓撲結構。

在日本東京舉行的MemCon 2010大會上，US Modular公司工程副總裁、JEDEC董事會成員Bill Gervasi介紹說，DDR4記憶體的有效運行頻率初步設定在2133-4266MHz之間，運行電壓則會進一步降低至1.2V、1.1V，甚至還可能會有1.05V的超低壓節能版，生產工藝預計首批採用36nm或者32nm。

目前的DDR3記憶體最高標準頻率為2133MHz，電壓則有標準版1.5V、節能版1.35V兩種。DDR4將繼續沿著高頻率、低電壓之路前進。

JEDEC預計在2011年完成DDR4記憶體規範的制定工作，2012年開始商用，超過DDR3而成為主流規格則可能要等到2015年。

DDR、DDR2、DDR3一路走來，頻率更高、電壓更低的同時延遲也在不斷變大，慢慢改變著記憶體子系統，DDR4帶來的變化甚至可能更大。後藤弘茂分析稱，DDR4時代每個記憶體通道只會支持一條記憶體模組，因為開發人員準備使用點對點技術取代目前的多點總線。這樣一來，系統可用記憶體條數量、容量都將受到很大限制，為此開發人員正在思考兩種解決方法：

第一，讓DRAM廠商借助矽穿孔(TSV)技術和多層製造工藝大幅提高單個記憶體顆粒的容量，這就對DRAM生產技術提出了幾乎苛刻的要求，而且用戶升級也會比較麻煩，為了提高多通道性能必須同時替換所有記憶體條。

第二，在服務器領域內，如果多層DRAM IC方式不適合，就在主板上安裝特殊開關，允許多個記憶體條工作在同一內存通道內，這顯然會增加主板的難度和成本，還可能會影響性能，帶來潛在的相容性問題。

記憶體頻率規格路線圖

記憶體電壓規格路線圖

不同時代記憶體頻率、電壓、功耗關係圖

DDR4會嘗試使用矽穿孔(TSV)技術來提升容量密度

DDR4記憶體規格預測