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在半導體產業盛會Semicon West 2010上，GlobalFoundries公佈了該公司推動極紫外(EUV)光刻技術投入量產的一些規劃細節。按照這份計劃書，GF將在2014-2015年左右將極紫外光刻技術推向商用，屆時半導體製造工藝也會進化到22nm和20nm。不幸的是，AMD並不會歡迎這種消息。

GF技術研發高級副總裁Gregg Bartlett在會上發表主題演講時稱：「我們的策略是跳過預產設備階段，直接購買量產級別設備，並安裝在位於紐約州的在建高級新工廠Fab 8。我們計劃於2012年下半年安裝這種(極紫外光刻)設備，然後立即開始研發工作，確保2014-2015年間開始批量生產。我們在研發上採取了合作策略，因此能夠做出這樣的行動，進而加速為整個產業批量生產(極紫外光刻芯片)。」——顯然，這裡所謂的合作來自IBM領導的晶圓廠俱樂部。

他解釋說：「我們可以把從沉浸式(光刻)中得到的經驗應用於極紫外光刻。從我們的角度說，沉浸式光刻能夠到達22/20nm工藝節點，但是會帶來嚴峻的成本挑戰，並增加複雜性。我們需要另外一種方案，而我們看來極紫外光刻是最有希望的。」

「我們是EUV LLC(極紫外光刻有限責任公司)的初創成員之一，而且我們的研究人員也參與了極紫外光刻的幾個重要里程碑，包括首款全場極紫外測試晶片的生產。我們承諾將會繼續維持這種領先地位，推動整個產業走向極紫外光刻的量產。」

GF Fab 8工廠計劃於2012年投入運營，初期生產28nm工藝晶片，然後轉向22nm，但是時間上恐怕至少要等到2014年了。相比之下，Intel打算在2011年下半年就進軍22nm，量產最晚時間也不過2012年上半年。

不過Intel雖然也一直在深入研究極紫外光刻技術，但是短期內並不打算真正使用它，這樣一來GF雖然進度上會落後很多，但是一旦成功就能在技術大大領先，只是對AMD等代工客戶來說就麻煩大了——AMD平均每兩年就需要新的處理器和顯卡晶片製造工藝，最晚2013年的時候應該就要用到22/20nm，但現在看來2011-2014年間AMD只能依靠32/28nm來維持了。