長時間高負載輸出，使電感流過高電流發熱變色，加上VRM區散熱不良(例如使用塔型散熱器或水冷)，MOSFET過熱超出SOA(安全作業區)而擊穿損壞。
至於記憶體下方電容可能是品質或長時間過熱導致的爆漿。