待機功耗主要是看靜態漏電 (static leakage) 和電晶體的數量, 40nm的電晶體比起55nm要多 (4770 有862M, 4670 有514M), 靜態漏電是有降, 但是沒降太多, 以至於待機功耗還是比4670多.
那有沒有解決靜態漏電的辦法呢? 辦法當然是有, 只要使用 Intel 或是 IBM 的HKMG (high-K,metal gate) 就可以把靜態漏電降到十分之一不到, 但是製造成本至少會增加20%, 此外HKMG與傳統的氧化閘不同, 電路設計全部要重來, 產品驗證時期加長, 想必AMD也不願意受這種苦, 所以就惦惦吃下來了.
至於全速滿載使用就沒這個問題, 因為全速滿載狀況下漏電只佔整體功耗約10~15%, 且由於閘面積的微縮代表整體電容的下降, 且操作電壓也下降了, P=CV^2f, 所以40nm滿載功率相較55nm會大減, 這也是40nm的優勢. 俗話說有一好沒兩好大概就是指這個情況....