消息來源︰

http://journal.mycom.co.jp/news/200.../020/index.html

今天，日本DRAM半導體晶片製造廠商Elpida（爾必達）發佈公告稱

其50nm制程的DDR3記憶體顆粒已經研製完成。

50nm制程的DDR3記憶體顆粒能夠在更低的電壓下達到更高的傳輸速度

功耗也降低不少，其基本電壓為1.2V，速度為2.5Gbps。

該50nm制程的DDR3顆粒採用了其銅互連技術

以及業界最先進的193nm（ArF）浸入式光刻技術製作。

晶片面積小於40mm2，工作電壓可設定為1.2V、1.35V或1.5V，頻率最高可達到2500MHz。
　　
Elpida將會在2009年第一季度大規模生產50nm制程的DDR3記憶體顆粒。

50nm 製造 SDRAM︰