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qazxx
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加入日期: Jan 2002
文章: 9
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作者小壞蛋
High side電流比較小,用不到兩顆;Low side一般才會用到兩顆;比較好的設計是2H2L
2H2L是並聯內阻下降,要省成本不會用2H2L;當然好壞還是要看MOS能承受的最大電流跟內阻
同理,Low side的MOS會比較燙,電流比較大
driver是用來驅動MOS的,控制電壓是PWM的事,用頻率來控制電壓

請問為什麼low side的電流會比較大呢?
我查到的資料中,電流是畫一個三角波,所以peak值兩個mos好像是一樣的
舊 2008-08-09, 08:29 AM #25
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