PCDVD數位科技討論區 - 瀏覽單個文章 - 繼雞排碰石頭後又一廠商加入圍剿,微星新技術主板矛頭直指華X

引用:

作者LSI狼

傳統的VRM每個Phase都要用Driver、HS Mosfet、LS Mosfet去兜，別說Mosfet自己造成的損失(Rds-on)，光是PCB Layout都會造成干擾及損失，所以拿Driver+HS+LS合體的Hybrid Power IC去跟傳統分開兜的比較是沒有太大意義的。
其實D-VRM用的功率元件也是屬於Driver+HS+LS合體，不過因為是Flip Chip封裝，頂部散熱面積太小，大電流下根本無法承受無散熱片操作，溫度馬上就超出SOA(安全作業區)，而QFN至少還可以透過背部錫面來散熱。

同意 Mosfet & PCB Layout 都會造成干擾及損失,如果以六相用傳統的HS & LS MOS總共要12顆,用DrMOS只要六顆,PCB Layout簡單,誰的損耗比較多,況且DrMOS最大可容許的電流40A,遠比傳統單顆MOSFET來的高

DrMos的特點:

1.低損耗高效率節電
2.晶片發熱量小溫度低
3.晶片面積小功率密度高
4.瞬態附應快供電性能高

前面的大大有找出MSI 所使用的DrMos資料,也許你可以研究一下

http://www.renesas.com/fmwk.jsp?cnt..._integrated_sip

http://www.renesas.com/fmwk.jsp?cnt...DrMOS%20Details

Data Sheet在這假如你想看的話

http://documentation.renesas.com/en...2j20602npds.pdf