作者LSI狼

傳統的VRM每個Phase都要用Driver、HS Mosfet、LS Mosfet去兜，別說Mosfet自己造成的損失(Rds-on)，光是PCB Layout都會造成干擾及損失，所以拿Driver+HS+LS合體的Hybrid Power IC去跟傳統分開兜的比較是沒有太大意義的。
其實D-VRM用的功率元件也是屬於Driver+HS+LS合體，不過因為是Flip Chip封裝，頂部散熱面積太小，大電流下根本無法承受無散熱片操作，溫度馬上就超出SOA(安全作業區)，而QFN至少還可以透過背部錫面來散熱。