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鉅亨網記者蔡尚恩•台北
2008 / 05 / 06 星期二 12:40

集邦(DRAMeXchange)表示，目前在DRAM合約市場供給趨緊，現貨價大漲的情況下，DRAM廠合約價於5 月上旬成功調漲 10%。在返校需求備貨旺季即將來臨，DRAM 廠大減資本支出，停止擴產下，DRAM廠樂觀期待主流的 1GB合約價能持續維持走揚的力道。

集邦科技表示，由於國際DRAM大廠擴產趨緩重要指標，韓廠Hynix(000660-KR；海力士)在產能調整下，第一季DRAM位元銷售率僅成長5%，而歐廠Qimonda(QI-US；奇夢達)第一季DRAM位元銷售率為負9%。台灣的華亞科( 3474-TW下單)也在轉進70nm中，產出成長平緩。

雖然日廠Elpida(6665-JP；爾必達)第一季產出高達 33%，但其DDR2客戶主要為數家大模組廠，而非電腦系統廠商(PC OEMs)，使得DRAM的產出在合約市場供給呈現吃緊。加上市場預期DRAM 價格落底訊號形成而不斷拉高庫存，造成四月份現貨顆粒價格大漲，自3 月中~5 月中，據集邦科技(DRAMeXchange)報價，品牌顆粒DDR2 1Gb 667MHz由$1.91漲至$2.16，上漲了11.3%，DDR2 1Gb 6 77MHz eTT更由$1.6漲至$2.04，大漲約27.5%。

上周DRAM現貨市場的顆粒價格在大漲後，呈現平穩的價格走勢，漲跌之間約只在1%左右的幅度，DDR2 eTT 512Mb與1Gb價格分別守在約0.99美元與2.02美元左右。

現貨顆粒價格有盤堅向上的趨勢。雖然力晶，爾必達 eTT產出在瑞晶產能開出下持續增加，但市場需求增加下，eTT價格漲幅遠超過品牌顆粒。

據集邦統計，以現貨市場 4月份的DDR2 512Mb eTT 及DDR2 1Gb eTT現貨顆粒的最高與最低價格來分析，DD R2 512Mb eTT為1.0美元與0.83美元上漲了20.5%，DDR2 1Gb eTT為1.68美元與2.04美元，上漲了21.4%。

展望未來，集邦科技指出，在各DRAM廠紛紛大減資本支出，放緩擴產下，隨著返校需求備貨旺季即將來臨，預期1Gb DRAM合約價可望上看2.5美元水位。
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