SOA(Safe Operating Area)安全操作區
MOSFET的SOA，較BJT(雙接面電晶體)要大，主要是因為MOSFET在順向偏壓時，不會受其二次崩潰效應所限制，所以在脈波及直流的安全操作區較BJT為大，且搭配適當的設計，於額定電壓下就可以承受額定的電流。

Snubber：箝制電路，以電阻及電容構成，其可以改變開關的負載線，並可以在功率元件截止時，消耗額外的能量，讓功率元件負擔較低，增加可靠度。
一般多以電阻及電容串聯後接於BJT的C、E間或是MOSFET的D、S間，而BJT還需加上漏感轉換二極體，將能量回送至高壓直流匯流排，而MOSFET本身的D極PN接面，就會產生等效寄生二極體，所以MOSFET僅需要RC箝制電路。

Rds-on：MOSFET導通時，D、S間的電阻值，因為決定了功率損失大小，所以MOSFET的Rds-on越小越好，不過隨著提升耐壓，Rds-on因為晶片厚度增加而升高，所以高耐壓與低阻抗之間是魚與熊掌難以兼得，不過目前各家半導體廠都致力研發新型高耐壓低阻抗MOSFET，例如英飛凌推出的CoolMOS系列SPW17N80C3，耐壓800V僅有0.29歐姆的Rds-on。