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*停權中*
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作者totorochen
最近1G的DDR2 667有小漲,DDR2 800有小掉,2G系列的開始要掉
要趕在電腦展之前補貨還是電腦展時會更低?
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DRAM現貨價上周大跌10.2% 集邦：年底前合約價再跌有限
鉅亨網記者蔡乙萱／台北•10月30日
2007 / 10 / 30 星期二 22:43
由於多數買家持續觀望，市場交易量有限，上周 (10/22-29)現貨市場 eTT顆粒價格僅有短暫的反彈行情 ，DDR2 512Mb eTT收在1.05美元，跌幅約 10.2%；而品牌顆粒並未受影響，跌幅僅有5.8%。
受到DDR2 eTT市場供過於求，加上適逢月底做帳，抑制市場買氣，由於目前市場買氣停滯，除非買方有訂單需求，加上市場庫存尚未完全去化， eTT現貨價將會拉回至1美元附近。
分析師表示，DRAM廠持續轉入70奈米製程產出，已 降低成本，不過卻造成產出顆粒數增加，加上PC在第 4 季出貨量將會衰退5%，在整體性需求不佳下，11月的合約價有機會在下探，不過合約價在10月已下跌頗深，瀕臨成本邊緣下，DRAM廠不願意再大幅降價，因此預計11 、12月下跌幅度將有限。
至於在NAND Flash現貨方面，受到通路商積極促銷 ，藉此降低庫存，由於市場供應量不穩定，10月下旬合約價平均跌幅約0-10%左右。其中，又以8Gb以上的MLC NAND Flash的跌幅，相對其它NAND Flash產品大。
集邦預估，在廠商持續去化庫存，加上年底的提前鋪貨需求旺季，將可支撐11月的NAND Flash合約價持穩。
集邦表示，雖明年各DRAM廠的12吋廠產能沒有明顯擴張計劃，但在韓系廠商的強勁的製程轉進能力影響下，三星明年DRAM位元成長仍達 70%，而國內DRAM廠如南科(2408 -TW)、茂德 (5387-TW)、瑞晶也是持續往高階製程提升；集邦預估，DRAM明年位元成長約50%，需求成長約40%。
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http://www.cnyes.com/fc/metal/fc_dram.asp
看情形還會更低 |