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先來個最低階的2007-20週 45nm Yorkfiled 2.33G L2-12M
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HigH
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不曉得耗電如何?
intel說45nm閘極改用High-K絕緣, 漏電只有65nm SiO2絕緣層的百分之一
2007-07-22, 04:58 PM #
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HigH
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