就我當時找電容、量電壓的位置，挑的都是原本M/B上耐壓6.3V的電容。找到6.3V的電容位置後，利用在BIOS設定的CPU,RAM電壓值來比對，用電表其實還蠻容易確認位置的。由於DDR的動作原理需要中點電壓(1.8V/2=0.9V)作為基準點，建議也一起做加強。

再者增加電容用的是併聯方式，在原本就突出來的電容腳上銲，其實也蠻簡單的(比更換M/B爆漿電容簡單許多)，惟需多加注意併聯電容的極性。



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