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　DRAM 現貨市場在端午節連假過後出現戲劇性大漲走勢，2個交易日累計價格漲幅逾22%，下游模組廠表示，繼茂德因製程轉換導致產出不順，力晶亦傳出70奈米製程轉換不順，導致有效測試(eTT)顆粒供貨銳減，並造成DDRII價格瞬間大漲，然因大多數模組廠都未在端午節前回補庫存，在假期過後眼看價格不斷攀高，只能當場傻眼。而在台廠製程不順及DRAM現貨價水漲船高激勵下，21日帶動三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等國際DRAM大廠股價響起一片漲聲。

模組廠表示，台DRAM廠在轉換製程至70 奈米時，陸續出現生產不順問題，繼日前茂德因轉進70奈米製程速度過快，導致產出不順，力晶亦傳出因70奈米製程轉換過程有問題，導致eTT顆粒供貨銳減，是近2日價格大漲的元凶。惟對此力晶發言人譚仲民表示，力晶70奈米製程相當順利，沒有市場傳出的這個問題。
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部分業者則指出，儘管力晶在70奈米製程轉換所產生問題，其實影響數目只有幾百片，該數量不但對力晶而言微不足道，亦不足以左右現貨市場供需，真正影響市場供貨量的主因係母公司爾必達(Elpida)近期臨時增加向力晶拿貨數量，使得力晶能夠轉售到現貨市場DRAM貨源減少。

無論真正原因為何，近期DRAM廠惜售態度明顯，尤其現正值自結半年報時間點，多數DRAM廠為彌補4、5月DRAM價格不佳、第2季財報恐不好看，加上看準第3季PC產業傳統旺季即將來臨，對於價格可說是鐵了心要漲價，在供給端主導下，使得近2日eTT顆粒出現大漲。

不過，由於這波DRAM價格反彈過於快速，加上突然出現在端午節連假過後，讓許多模組廠感到措手不及，原預計DRAM價格會延到6月底才觸底反彈，如今卻提前發動漲勢，讓不少模組廠與連假前的最低價位失之交臂，錯失回補庫存好時機，現在只能眼睜睜看著價格上揚。

值得注意的是，部分模組廠透露，其實在6月中旬DRAM價格低點時，已有全球規模相當龐大的模組廠，看準當時DRAM價格已是最低點，加上傳統旺季即將來臨，紛向原廠提出包下大部分產能計畫，惟當時大部分DRAM廠皆認為價格不佳，不想要賠本售出，因而拒絕大型模組廠的提議。由此可知，DRAM廠在經歷近半年低潮期後，這次是鐵了心要漲價。



此外，受到台廠製程轉換不順及DRAM現貨價格大漲影響，國際 DRAM大廠股價全數走高。全球第1大記憶體製造廠三星電子21日股價上漲2.1%，南韓第2大記憶體廠海力士股價大幅躍升7.3%；日本大廠爾必達終盤則大漲4.4%，東芝(Toshiba)盤中股價亦上漲2.04%。

南韓Dongbu Securities分析師表示，DRAM價格上揚主要是受到台廠面臨70奈米製程問題所致，業者生產面臨難題，意謂著供給成長將趨緩，有助於市場價格回升。現代證券(Hyundai Securities)分析師亦認為，對於DRAM廠獲利表現來說，近期漲價實為正面訊息。