早前Gigabyte曾向媒體發表示有關Gigabyte P35-DS3R，與Asus P5K在工作溫度上的比較，變成為各大玩家們的話題，有部份玩家認為此仍內部測試、難辨真假，因此技嘉借Computex大會，邀請全球媒體見証，有關Gigabyte P35-DS3R與Asus P5K在工作溫度上的現場實測。

此次測驗兩者均採用Intel Pentium XE 840 (3.2GHz)，Kingston DDR2-1200 1GB x 2，Gigabyte GV-NX79T256DP-RH，為了減少風冷散熱器影響測驗結果，兩者均改用了Gigabyte Aquagate水冷系統。測驗平台將會進行3DMark 06 Loop測驗，事前可讓各媒體驗証各平台的設定，以示公証。

結果顯示，Gigabyte P35-DS3R在Mosfet、Choke及Capacitor的工作溫度，均比Asus P5K低20度以上，測試結果請看圖二。

Gigabyte指出，採用更優秀的Low Rds(on) MOSFET(Power Pack)、Ferrite Core Choke，及採用全日系固態電容，其供電模組效率能進一步提高，令工作溫度有所下降，同時亦令主機板壽命。此外，P35-DS3R採用了6相PWM +18個MOSFET設計，效果比P5K只採用3相 PWM + 9個 MOSGET設計優秀並不意外，加入只採用一般的MOSFET、CHOKE及台系固態電容，亦是P35-DS3R在工作溫度上輕易幹掉Asus P5K的主要原因。








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