引用:
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作者青葉大哥
這次intel是採用
high-k材料來突破
什麼是high-k物質? 二氧化矽的缺點在於:持續變薄使其控制漏電流變得困難，而high-k正是一種較厚而在未來幾年極有可能取代現今二氧化矽的技術。 High-k意指高介電常數，是用以衡量一種材料能儲存多少電荷。不同材料會有不同儲存電荷的能力，好比海綿能夠吸收很多水分，木頭吸收得少了些，而玻璃則完全無法吸收。空氣是此一常數的參考點，其k值為1。High-k材料，如HfO2 ZrO2及TiO2，天生具有超過二氧化矽3.9的介電常數或k值。介電常數也直接與電晶體的效能有直接關係。k值越高，電晶體之電容值也越高，使得電晶體能正確的切換於”開”與”關”狀態，同時在關時具有低電流，而在開時具有高電流。
資料來源
http://www.challentech.com.tw/produ...id=43&classid=2
應該intel是又遇到時脈無法順利提升的瓶頸,改用High-k材料來突破吧 |
翻譯這篇的吧
http://www.intel.com/technology/sil..._technology.htm
High K主要是解電晶體漏電流，矽晶圓上長的二氧化矽在過去10幾(>20?)年來一直是品質最好、最方便成長(直接氧化矽)的介電質材料；High K不是單單換一個材料而已(雖然有很多種候選材料，但是幾乎只有HfO2是有機會用的)，換來的一大堆問題是十幾年來許多paper討論的重點，總結就是intel那個網址裡面寫的Fermi level pinning(使電晶體開啟電壓難以調動)和remote phonon scattering(使電晶體效能下降)；Metal gate可以解決上面兩個問題，但是搭配High K的metal gate也是很多的討論重點(就是問題很多的意思)，的網址裡寫著「The specific metals are a trade secret」實在是很吊人胃口，因為這比High K用什麼材質來得更吸引人注意。
High K不是intel的專利，也不是只有intel在做，但是在我所看到的學界是相當悲觀的(甚至對是不是真的可以量產都存疑)，業界好像也是硬著頭皮try，但是intel的處理器已經可以run了;今天上班開始聽到同事哀嚎跟intel的距離拉更大了
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Intel今年一篇VLSI都沒有，想想看是什麼原因。