這次intel是採用
high-k材料來突破

什麼是high-k物質? 二氧化矽的缺點在於:持續變薄使其控制漏電流變得困難，而high-k正是一種較厚而在未來幾年極有可能取代現今二氧化矽的技術。 High-k意指高介電常數，是用以衡量一種材料能儲存多少電荷。不同材料會有不同儲存電荷的能力，好比海綿能夠吸收很多水分，木頭吸收得少了些，而玻璃則完全無法吸收。空氣是此一常數的參考點，其k值為1。High-k材料，如HfO2 ZrO2及TiO2，天生具有超過二氧化矽3.9的介電常數或k值。介電常數也直接與電晶體的效能有直接關係。k值越高，電晶體之電容值也越高，使得電晶體能正確的切換於”開”與”關”狀態，同時在關時具有低電流，而在開時具有高電流。

資料來源
http://www.challentech.com.tw/produ...id=43&classid=2


應該intel是又遇到時脈無法順利提升的瓶頸,改用High-k材料來突破吧