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電晶體技術大突破 英特爾：晶片邁入金屬時代
http://news.pchome.com.tw/finance/u...0404036092.html
2007-01-28 02:04／編譯湯淑君／綜合二十七日外電
英特爾公司表示，已發明以金屬材質製造電晶體閘的技術，可大幅降低晶片漏電，促成更快、更小、更省電的新一代處理器，堪稱40年來電晶體技術最大的突破。IBM與超微（AMD）也正爭先恐後發表類似技術。
英特爾展示新晶片原型，內含的電晶體閘採用新的金屬合金材質，以取代二氧化矽。用金屬合金製造閘絕緣膜及鄰近的元件，可克服絕緣膜變薄衍生的漏電問題，因而提升處理器的用電效率與執行效能，進而延長電子裝置的電池續航力，例如手機將可長時間撥放影片。
英特爾計劃今年下半年開始製造這種微處理器晶片，將用於電腦，但也可能用在消費電子裝置。另一方面，IBM與超微也準備在2008年第一季推出採用金屬閘的電晶體；這兩家公司訂有合作研發未來晶片製造技術的協議。
英特爾投入大手筆的研發與設計經費，設法搶先推出新技術，讓對手超微難以追趕。英特爾執行長歐德寧（Paul Otellini）說：「這顯示英特爾目前居於領先地位，而且可能繼續主導趨勢。」他說，部分新產品將在年底前開始銷售。
業界分析師說，英特爾的技術領先其他廠商六到九個月，但IBM主管駁斥這種說法，並強調兩者鎖定的市場不同。
個人電腦業的需求日益變遷，諸如Pentium等舊型設計造成晶片散熱需求升高，促使英特爾致力調整晶片的基本結構，以達到降低耗電量和增進裝置可攜帶性的目標。
電晶體是微小的電子開關，藉開與關表示0與1，也就是數位資訊的構成單位。不論是二氧化矽，或現在的金屬閘，都用於電晶體的開或關。
自1960年代末以來，英特爾等晶片製造商就一直使用二氧化矽作為電晶體閘的材質，但二氧化矽即將逼近物理極限。目前的二氧化矽閘薄到只五個原子。在這種厚度下，即使電晶體是關的，也可能造成電流漏電。漏電則意味需要更多電力來開或關電晶體，散出的熱隨之增加。
英特爾說，用新材質製造電晶體，開啟時所需的電力可節省30%。英特爾今年推出的45奈米晶片將採用這種新材質。英特爾用的金屬稱為「鉿」（Hafnium）。
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