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引用:

作者cmwang

一般flash的標示每個cell只能寫入約10萬次,所以flash controller通常都會有auto remap的設計(i.e.每次寫入同一block會被controller map到不同的cell上,以避免過度集中寫入少數cell造成整個chip提早報廢

),但以DB這類有可能有連續大量讀寫的應用效果如何就只有天曉得了

....

感謝感謝~

小弟去創見下載相關資訊來看，才瞭解到這個問題。

再請教：那三星、intel所研發的那種flash硬碟，有一樣的問題嗎?

謝謝。