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skinner
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加入日期: Feb 2002
您的住址: 台北市
文章: 8
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作者雲影
三星的OneNAND型Flash讀取速度是很快啦...
但是...寫入速度(10MB/s,新製程應該會再快一點)

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取代HD還要好幾年(現在HD的主流應該有120G了吧,兩年後應該有200G以上 )




其實要提高寫入讀取的速度還是有辦法的
以目前 NAND Flash 常用的 8bit 好了
假設一顆的寫入是 10MB/s 好了,因為一般 CPU 的 data bus 是 64bit
這時就並八顆為 64bit 同時寫入就可以達到 80MB,16 顆的話就可以到 160MB
並行寫入的方試是一種提高 Flash 寫入的一種方法,並愈多愈快
即可達到甚至超越硬碟差的速度,這是在國外已經實驗過可行且已經有原型產品了,
所以以 FLSAH 寫入太慢而說無法高速化其實是有誤解的

當然因為 Flash 並沒有 data, adderess bus,所以才會有像 OneNAND 方式
內崁 flash controller 方式去轉成一般 memory bus 的信號及寫入控制,
假設並 16 顆好了,這時只要和一般硬碟一樣內建 SRAM buffer
將從系統端來的資料組成 128bit 再寫入, 這個時候有 160MB 的寫入時夠不夠用呢?
真得非常夠了!
現在最大問題是……目前價格也是非一般人可接受的啦!
 
舊 2005-09-24, 11:31 AM #62
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