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加入日期: Feb 2003
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作者umts
P4 的高耗電,小弟猜想會不會和 90nm製程有關.
因為製程太細,導線間距太近,若絕緣層又效果不佳,應該有可能發生量子穿隧效應(電子機率波),造成漏電流,按理說更換絕緣材料或換回130nm製程就會改善,不過Intel應該不會這麼做,拿產能開玩笑. 不知道有沒做半導體製程的前輩幫忙解答? 感謝呀!


P4 prescott高耗電跟90nm沒有太大的關係
是整個設計失敗
http://www.pcdvd.com.tw/showthread.php?t=492283
舊 2005-05-27, 03:45 PM #19
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