第三節 MAX Memory
1.認識您的DRAM參數
CAS# latency (Tcl)
注意:此項為DRAM最重要之參數優化項. 有2、2.5和3 ns
全名:預充電時間 (CAS Latency)：通常簡稱CL。
例如CL=3，表示電腦系統自主記憶體讀取第一筆資料時，所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統的效能並無顯著影響。
RAS# to CAS# Delay (Trcd)
注意:此項為DRAM次要之參數優化項.2T(週期)~7T
全名:列控制器至行控制器傳輸延遲(Row Adress Strobe,列位址控制器)to CAS(Column Adress Strobe,行位址控制器) 。
記憶體控制器會先送出列(ROW)的位址(例如第2列)，然後RAM收到列的位置後，經過一段時間，才會再傳送行(Column)的位址，而這一段時間就是RAS Delay
Row precharge Time (Trp)2T(週期)~7T.
全名: RAS#支援時間 (Self-Refresh)。DRAM內部具有獨立且內建的充電電路，並於一定時間內做自我充電， 通常用在筆記型電腦或可攜式電腦等的省電需求高的電腦
Min RAS# active time(Tras)5T(週期)~12T
全名:RAM Active Timing 記憶體循環時間
一般記憶體模組有分1bank跟2bank(非單面雙面顆粒之分)，當CPU在Bank1找完資料,Bank1便需要一段時間恢復才能再供利用,這一段時間就是RAM Active Timing。
Row Cycle Time(tRC)
全名:列迴圈時間 (Random read or write cycle time 。Cpu - Z顯示為Bank Cycle Time (Trc) )
此項Bios調整設定，控制了記憶體模組的 Row Cycle Time。Trc 數值決定記憶體一個完整的循環週期時間，(從 row activation up to the precharging of the active row 為止)
公式 tRC= tRAS + tRP
所以當tRAS與tRP最小，您可以獲得最小的Trc值。
因此，要獲得Trc值，您需要先確定您的最小 tRAS與 tRP。
如果您設定的Trc值，比tRAS+tRP還小...記憶體在傳輸訊息時，可能發生一個新的循環在記憶體重新充滿電之前開始，這將造成資訊喪失或是中斷。又如果您設定的Trc值過大。則新的週期開始之前，將會有不需要的等待時間(延遲)。
Idle Cycle Limit (DRAM Idle Timer)
值0~256。
此值決定了"記憶體在強制關閉預先充電的分頁空間之前，記憶體所有的循環週期數目"
換句話說，該值決定"在調停器中斷/強制重新預先充電該分頁之前，該記憶體分頁可以被讀取的次數" 此值對於記憶體頻寬影響甚小，對穩定性影響甚大。
所以如果您的記憶體體質較差，建議您不要設定過大的值，因為這將造成不穩定。
如果您的DRAM系出名門，可以建議設定在16~32 數值之間。
在華邦曾經推出的BH-5顆粒，甚至可以設定為16。固此值越小，傳輸效能越快。
2.什麼是 1、2T CMD(1T/2T Command Rate)
（Command Rate、MA 1T/2T Select）當記憶體要求傳送、讀取資料區間"定址記憶體模組和記憶體晶片的時脈循環"所需時間。
-1T擁有較少的延遲，較佳的系統記憶體效能。卻較差的相容性。適合您的DIMM未插滿時。
-2T擁有較久的延遲、差很多的系統記憶體較能。較高的相容性、穩定性。適合您的DIMM已全部插滿時。
這邊我們建議設定為1T。
K8/C0 僅支援1T、D0支援2T。在CPU-Z可知。
最新的K8/E0 - Venice威尼斯 /San Diego 聖地牙哥 核心新增支援SSE3。
3.什麼是SPD(Serial Presence Detect) 記憶體參數串列偵測
-一般記憶體模組上，會多一顆小晶片，這就是具備SPD能力的記憶體，SPD是一個8針的256位元組的"可讀寫可編程唯讀記憶體晶片"。
-一般位在記憶體條正面的右側，記錄著記憶體的速度、容量、電壓與行、列位址帶寬等參數資訊。
-當開機時BIOS將自動讀取SPD中的資訊，節省開機Bios偵測的時間。
-若是需要手動調整記憶體參數則必須將Bios 中By SPD 設為手動。
4.DRAM參數設定 順序為(Tcl) - (Trcd) - (Trp) - (Tras)
-您希望追求記憶體最大頻寬者。
我建議CL2.5-4-3-7 1T /2.6~2.9v。
理想值=CL2.5-3-3-6 1T/2.6~2.8v
-您希望追求記憶體最快傳輸效能者。
我建議CL2-2-2-7 1T /2.6~2.9v。
理想值=CL2-2-2-5 1T/2.6~2.7v
-參考以下設定可獲得最佳頻寬並進一步提升記憶體效能。
(此部份僅供進階玩家設定，且並非所有主機板Bios皆支援調整)
1.儲存循環時間(Row cycleime)請設為7T
2.Row refresh cycle time 請設為AUTO
3. Row to Row delay請設為2T
4.Write recovery time 請設為2T
5.Write to Read delay 請設為1T
6.Read to Write delay 請設為2T
7.Refresh period請設為3120 Cycles(1X 3120 Cycles)
-DDR500以上，建議可設CL=3。
一般而言DDR400(200Mhz)記憶體最佳優化為 CL2-2-2-5，DDR600(300Mhz)記憶體最佳優化為
CL2.5-3-3-5。
-絕大部分記憶體可承受電壓為2.6~2.9v。
-設定不當"過低"DRAM參數將導致系統不開機。
-當您的記憶體非終生保固者，我們不建議您將DRAM電壓設定超過2.7v以上。
-當您的DDR為400以上，請酌量放大記憶體參數。
-當然，我們這邊講的是超頻...所以請選擇好一點的DRAM。 建議Hynix BT-D43、Hynix D5、SAMSUNG TCCD、BH-5。
5.超頻HTT/FSB*與DRAM之關係
當您把HTT/FSB* 提升到超過200MHz的速度時，會造成一個問題，因為標準DDR400其
時脈為200MHz，提高HTT/FSB* 逾200MHz以上可能會導致起系統無法開機。
您可以利用三個方法解決
1.使用FSB：DRAM比率(記憶體除頻)。
2.超頻DRAM。
3.購買廠商的超頻模組DRAM。
Ex：
當您有一顆大雕 3000+ 0448週期，
她可以一飛沖天，傲視群"U"，HTT300Mhz，對她來說輕而易舉...
眼睛不眨一下就上了...
"可是您的DRAM卻只能跑DDR400~DDR500...... 怎麼辦??
選擇方案1(除頻)透過Bios設定：將DRAM時脈定頻/除頻。與HTT跑不相同的時脈。
選擇方案2(超頻)透過Bios設定：對記憶體加壓，放鬆參數。直接讓DRAM與HTT/FSB*跑同步。
選擇方案3(花錢)：請洽詢您的荷包，以解決目前的困境。
6.超頻DRAM方式
-首先讓您的DRAM與HTT/FSB*跑同步(AUTO)，慢慢提昇您的HTT(提升HTT將會同時提升您的記憶體時脈)
-直到接近您原本的HTT時脈最大安全值。
-請測試memtest86
http://www.memtest86.com
-當然..失敗為成功之母..在您測試 memtest86 test 之步驟 5~6 卻總是過不了時...
請下修HTT時脈(HTT * 0.95) 直到可以穩過測試 。此即是您的記憶體最佳時脈。
-有時候雖然能通過memtest86測試，但在OS中並無法通過Prime95測試。
7.除頻設定對照表 概略公式-"DRAM除頻時脈 = HTT時脈* 除頻比率"
除頻比率表(概略算法)
200 = HTT x 1 =200
183 = HTT x .90 = Mhz
166 = HTT x .83 = Mhz
150 = HTT x .75 = Mhz
133 = HTT x .66 = Mhz
100 = HTT x .50 = Mhz
Ex:您的大雕3000+確定可以穩跑HTT280..
可是您的DDR卻是聯強DDR400..(只能穩跑200Mhz/DDR400)
套用公式，請找出您目前最佳的記憶體定頻/除頻方案??
解:
(此算法為概略值)
280*0.75(定頻150方案)=210Mhz=DDR420..噢噢~~要小心嚕。
280*0.66(定頻133方案)=184Mhz=DDR369 嗯...有點浪費...
8.記憶體除頻時脈值與公式所算出的值不相當?
-事實上記憶體時脈除頻值，並不是直接由HTT/FSB所得出的，它取決於CPU倍頻與記憶體除頻係數。這導致有時候DRAM時脈並不總是等於您所
選定的比率計算結果。
-假設今天我們將HTT提高至250。而HTT:RAM=200:166=1:0.83
我們的DRAM時脈應該是250*0.83=207.5Mhz。然而實際上DRAM 卻是接近205Mhz。
這表示除頻後的值，並不總是非常精確的，而僅是近似。
-除頻真正的值應該是透過CPU的記憶體控制器來計算，但因為計算很複雜，故主機板廠商取一個概略的定義100/133/166/200 來代表。
9.真正的DRAM除頻計算方式
"(HTT)x記憶體除頻係數=DRAM除頻後時脈"
(記憶體除頻係數=CPU倍頻/除頻比率。值取整數、無條件進位)
Ex:假設HTT250/CPU倍頻9/DRAM設定除頻166/
經過計算
記憶體除頻係數=倍頻/除頻比率
9/0.83(166/200)=10.84，值取整數11(無條件進位)
接著
250x(9/11(記憶體除頻係數))=250x0.8181=204.5454
很複雜嗎??
為求簡便您可以概略使用HTT*除頻比率來計算您的DRAM時脈。
10.對DRAM除頻後會有什麼影響?
-因為超頻而選擇將HTT/FSB*與DRAM時脈不同步，此解決方式並不理想。
-以一個比率運行HTT/FSB* 與DRAM導致HTT/FSB* 與DRAM之間的傳輸效能延遲。若DRAM與HTT/FSB* 運行在相同時脈則無此問題。
-故欲獲得系統之最大超頻效能，使用超頻DRAM方案可能才是較為理想的。
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