Intel/AMD之前使用的是SOI Silicon-on-Insulator 係降低substrate leakage.
現在使用high K，提高閘極絕緣電容， 以降低gate leakage，主要的原因是因為量子效應。造成的tunneling effect。
而interconnect 使用銅製程以降低電阻，使用low-k技術以降低電容，RC一降低，速度才會快。這幾種技術並不是互斥，可以一起使用。
因此不是改用，而是加上。