引用:
|
作者stratos2005
Infineon的0.14/0.11 cell是用長上去的啊
IBM跟華邦是用挖下去，結果到0.14很難挖，角度很難僑
所以南亞就跑走去找Infenion，順便一起蓋蓋新廠囉
也許每家廠每一代都有新技術，不是一定故定用深溝或堆疊電容
他轉進下一代製成，發現深溝做不下去，改成堆疊也有可能
Infineon以前是深溝電容陣營沒錯，不過到0.11後轉給南亞的技術
就是堆疊電容...這是我南亞的同學說的啦
|
這...TRENCH 現在技術第一的是Infineon
南科在0.11會找Infineon 就是他才是TRENCH的第一把交倚
IBM在0.14就做不出來 發表論文說DRAM 太難做 就收掉改作代工
華邦 中芯 都是靠Infineon技轉的
TRENCH 目前會一直做下去
當然Sansung Hynix(ProMOS) 爾必達(PSC) 也會一直作STACK