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stratos2005
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加入日期: Mar 2005
文章: 648
引用:
作者vitoeast
英飛凌的用挖channel技術,已經到極限了,故障率不低
主流是用堆疊技術。
所以英飛凌...目前不好


Infineon的0.14/0.11 cell是用長上去的啊
IBM跟華邦是用挖下去,結果到0.14很難挖,角度很難僑
所以南亞就跑走去找Infenion,順便一起蓋蓋新廠囉

也許每家廠每一代都有新技術,不是一定故定用深溝或堆疊電容
他轉進下一代製成,發現深溝做不下去,改成堆疊也有可能
Infineon以前是深溝電容陣營沒錯,不過到0.11後轉給南亞的技術
就是堆疊電容...這是我南亞的同學說的啦
舊 2005-04-07, 11:58 PM #28
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