將我之前的文章小小整理一下:

HTT:
晶片製造商AMD，協同它的合作夥伴，共同開發成功了一種新的I/O結構，命名為快速傳輸技術HTT（Hyper Transport Technology ）。據稱在現有匯流排結構基礎上採用HTT，可以顯著地提高傳輸帶寬，同時還可以通過替換原有的匯流排與橋接器，簡化內部的連接。HTT可以在線路板上，在IC之間提供點到點的高速鏈路，對於每一對線的信號傳輸速率可達1.6 GHz，並且可以達到12.8 GB的峰值集合帶寬，比現有技術快48倍。

以前K7架構稱為FSB BUS，XP有133Mhz*2=266，Barton有166Mhz*2=333，更高階的Barton或是SP有 200Mhz*2=400Mhz

現在K8系統總線(CPU透過北橋與PC周邊IC進行I/O的通道名稱)，透過HTT技術，大幅提高
頻寬與速度，K8 754 pin為200*4=800Mhz HTT Link，K8 939pin為200*5=1Ghz HTT Link。
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HTT倍率:
一般有3X、4X、5X

就像是CPU倍頻一樣，K8 HTT外頻為200，透過放大，乘以3、4、5倍來達到高速寬頻的系統匯流排。

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以CPU Z做介紹有幾項記憶體參數比較重要
1.CAS#Latency 2.0/2.5/3.0/3.0
2.RAS# to CAS# 2/3/4/5
3.RAS# Precharge 2/3/4/5
4.Time RAS# 5/6/8/10

參數由左至右，從小變大，效能由較好至較差。
DRAM參數越小代表效能越好，表示記憶體傳輸信號延遲越短且速度越快。

各參數介紹

CAS# latency (Tcl)
全名:預充電時間 (CAS Latency)：通常簡稱CL。
例如CL=3，表示電腦系統自主記憶體讀取第一筆資料時，所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統的效能並無顯著影響。

RAS# to CAS# Delay (Trcd)
全名:列控制器至行控制器傳輸延遲(Row Adress Strobe,列位址控制器)to CAS(Column Adress Strobe,行位址控制器) 。
記憶體控制器會先送出列(ROW)的位址(例如第2列)，然後RAM收到列的位置後，經過一段時間，才會再傳送行(Column)的位址，而這一段時間就是RAS Delay


Min RAS# active time(Tras)
又稱RAM Active Timing(記憶體活躍延遲，我硬翻的..)
一般記憶體模組有分1bank跟2bank(非單面雙面顆粒之分)，當CPU在Bank1找完資料,Bank1便需要一段時間恢復才能再供利用,這一段時間就是RAM Active Timing。


Row precharge Time (Trp)
全名:自我充電時間 (Self-Refresh)。DRAM內部具有獨立且內建的充電電路，並於一定時間內做自我充電， 通常用在筆記型電腦或可攜式電腦等的省電需求高的電腦。

由於DDR RAM的資料儲存方式，是以一列下去儲存，放滿了或是不夠放，才會換列。
因此位置的傳送常常是(第2列,第2行)、(第2列,第3行)、(第2列,第5行)這種方式。
因此列定址後，只有行在換。也就是說，一直在跑RAS# to CAS# Delay (Trcd)
等到行定址後，又要自主記憶體讀取下一N筆資料，而所需的準備時間就是CL值。
因此RAM的參數中以CAS Latency跟RAS to CAS Delay為最重要。


總結上述，這些記憶體參數選項代表了記憶體在既定的時脈下，(原本的工作時脈)
其DRAM顆粒內部指令傳輸的延遲，或是顆粒自我充電、放電所需時間、準備下一筆、找尋資料時間，等等。因此想要記憶體以高時脈運作，則記憶體參數就必須調高(鬆)
否則記憶體容易傳送錯誤資料，或是不穩定。


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同步:

亦即:K8 HTT頻率與DRAM時鐘信號頻率一致，當DRAM與CPU同步時，能減少CPU與DRAM不同步處理資訊下，等待DRAM傳送資料的信號延遲時間。反之則為不同步。

不同步怎樣發生呢?
當您設定K8 CPU外頻為200Mhz以上，然您的記憶體工作時脈只能以200Mhz*2
假設HTT250，則您需將記憶體時脈限制在166Mhz(定頻/除頻接可)
此時HTT為250Mhz，記憶體時脈則由166Mhz拉升至204~205左右。剛好不至於超過記憶體的工作時脈，超頻因此能夠達成。