以下為我回答kivx兄 關於K8超頻的疑問，
順便獻醜PO在討論板上，以便能讓其他有需要的朋友分享知識。
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引用:
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作者kivx
以下是kivx兄的配備
CPU: 3200+ 939
MB : GA-K8NS-939
RAM: Kingston DDR400 512MB*2 hynix D43
VGA: ELSA AGP 6600GT
開機時有出現雙通道開啟的訊息
以外頻調為250來說
我想請教:
1.如何知道是否同步
Max Memclock 設為auto即為同步嗎?
我用CPU-Z時Memory那頁的Frequency沒顯示東西
所以覺得很奇怪，因為看許多大大的文章都會有數字
因此想請教一下
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1.此主機板設定AUTO就是指，視您安裝的DRAM模組SPD值為
DDR400或是DD333/甚至266為準。
Ex1:未超頻情況下，HTT200，若您卻安裝DDR333的記憶體，DRAM選項設為AUTO，主機板將會自動把RAM頻率訂在166Mhz，也就是DDR333。以此類推。
EX2:超頻的情況，您的HTT設為250，若您安裝的DRAM模組為DDR400，DRAM選項設AUTO，則記憶體外頻還是以200Mhz外頻為基準。
然而您的HTT已拉高至250Mhz，所以您的DRAM頻率亦從200Mhz拉升至接近245~250Mhz，此時即是DDR500左右。
關於CPUZ 無法正確顯示 建議可以下載最新版
CPUZ 1.27版
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引用:
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作者kivx
2.如果Max Memclock 設為166即為除頻?
若設為166
HT設為4X
以下等等如果不調，選AUTO可以超頻嗎?
CAS# latency (Tcl)
RAS# to CAS# delay (Trcd)
Min RAS# active time(Tras)
Row precharge Time (Trp)
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以GA-K8NS-939主機板而言，其BIOS設計就是
記憶體頻率選項僅能以200/166/133/100來調整。
若您想要將記憶體頻率定在DDR400以下(原因常常都是DRAM
模組無法以超過DDR400更高的頻率穩定運作，所以K8超頻往往需要搭配DDR500或更高時脈的DRAM。
讓我們這樣解說吧:
條件一
K8因為MCT(記憶體控制器做在核心內)且透過HTT系統總線來
鏈結DRAM/North Brigge。不像P4/K7的系統MCT做在北橋。
條件二
又K8幾乎都鎖住倍頻，所以想超頻僅能以調高系統外頻(HTT)來達成。
兩個條件加在一起，就是說:只要調高了K8 HTT，同樣也會調高DRAM的頻率。
另外。記憶體頻率設定AUTO，以您使用DDR400而言，其結果
與設定200Mhz是一樣的，也就是同步。
至於記憶體參數設為AUTO 不調整，可以避免記憶體參數設定太小(緊)導致超頻後不穩的問題。但是無法保證系統因此能夠以您想要的外頻來穩定運作。
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引用:
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作者kivx
3.如果Max Memclock選auto而調整以下等等者是否會造成不同步?又會否造成什麼影響?
CAS# latency (Tcl)
RAS# to CAS# delay (Trcd)
Min RAS# active time(Tras)
Row precharge Time (Trp)
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GA-K8NS-939 。Bios中 Max Memclock設AUTO就是記憶體與CPU跑同步的意思，調整記憶體參數是不會導致系統非同步的。
關於
CAS# latency (Tcl)
RAS# to CAS# delay (Trcd)
Min RAS# active time(Tras)
Row precharge Time (Trp)
這些記憶體參數選項代表了記憶體在既定的時脈下，
其DRAM顆粒內部指令傳輸的延遲，或是顆粒自我充電、放電所需時間、脈衝速度等等。
因此想要記憶體以高時脈運作，則記憶體參數就必須調高(鬆)
像是
CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 4
Row precharge Time (Trp) 4
Min RAS# active time(Tras) 8
也有更高的
CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 5
Row precharge Time (Trp) 5
Min RAS# active time(Tras) 10
以上參數通常適用DDR500以上。
若您的記憶體體質相當不錯，也可以試試看以
CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 3
Row precharge Time (Trp) 3
Min RAS# active time(Tras) 6
體質好的顆粒若跑DDR400 參數可以調至
CAS# latency (Tcl) 2.5
RAS# to CAS# delay (Trcd) 2
Row precharge Time (Trp) 2
Min RAS# active time(Tras) 5
所以您看到很多的DDR500，都是以較高的參數
(較長的訊號傳輸延遲來換取較高的運作時脈)
通常，超頻與設定記憶體參數是兩回事。
因為首先您要找到最佳的CUP外頻時脈與記憶體時脈搭配，
再來看看系統穩定度，最後才需要嘗試調緊記憶體參數，來獲取更高的記憶體效能。
超頻後最明顯的就是系統運作變的更快。玩遊戲更順暢，SuperPi跑的更外，3DMARK分數更漂亮，然最佳化記憶體參數能夠影響的就是關於記憶體傳輸效能上，若要真的有感覺，其實很難。還是需要用到測試軟體來"體會"效能差異。
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引用:
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作者kivx
4.如果Max Memclock選auto要如何設定以下之值
CAS# latency (Tcl) 預設:3
RAS# to CAS# delay (Trcd) 4
Row precharge Time (Trp) 3
Min RAS# active time(Tras) 8
另外，有看到您的文章中有調成 2.5-3-3-6的
調成這樣有何差別呢? 是因為調成166才需調嗎?
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若是想跑同步，建議調整至 CL3.0-4-4-8。
2.5-3-3-6是非同步，記憶體時脈在DDR400左右時脈下，才建議的參數。
若同步跑DDR500，想要2.5-3-3-6可能需要對DRAM加壓至2.7v或是2.8 v 才能穩定。
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引用:
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作者kivx
5.如果只調HT=4X 以降或不降倍頻的方式是否難超至250以上?
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沒錯....因為3200+的預設倍頻為10，
想要以2500Mhz穩定運作，
通常CPU不加壓是很難超至 /倍頻10/HTT250/HT 4X 2500Mhz 穩定運作。
問題幾乎都是在K8 CPU架構乃延伸K7而來，非像P4 Prescott核心的超深管線一般可以達到高倍頻下，超過3G的高時脈。
所以才有很多大大購買K8 3000+ 939來超頻，而非用3200+.....
因為要上高時脈，在系統不穩定下 (排除記憶體/主機板/PSU 的影響) K8通常以拉高外頻配合降低倍頻來換取穩定性。
所以同樣降倍頻的組合，超頻 3000+ 的C/P值 似乎比3200+多了一點^^"
(同樣的情形也適用K7 Barton2600+)
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以上文章若有任何疑問或指教也歡迎回文討論喔，讓大家的K8效能都能發揮的淋漓盡致吧~