嗯.先闡述一下超頻所需要的基本知識。
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HTT:
晶片製造商AMD，協同它的合作夥伴，共同開發成功了一種新的I/O結構，命名為快速傳輸技術HTT（Hyper Transport Technology ）。據稱在現有匯流排結構基礎上採用HTT，可以顯著地提高傳輸帶寬，同時還可以通過替換原有的匯流排與橋接器，簡化內部的連接。HTT可以在線路板上，在IC之間提供點到點的高速鏈路，對於每一對線的信號傳輸速率可達1.6 GHz，並且可以達到12.8 GB的峰值集合帶寬，比現有技術快48倍。

以前K7架構稱為FSB BUS，XP有133Mhz*2=266，Barton有166Mhz*2=333，更高階的Barton或是SP有 200Mhz*2=400Mhz

現在K8系統總線(CPU透過北橋與PC周邊IC進行I/O的通道名稱)，透過HTT技術，大幅提高
頻寬與速度，K8 754 pin為200*4=800Mhz HTT Link，K8 939pin為200*5=1Ghz HTT Link。
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HTT倍率:
一般有3X、4X、5X

就像是CPU倍頻一樣，K8 HTT外頻為200，透過放大，乘以3、4、5倍來達到高速寬頻的系統匯流排。

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記憶體參數:
1.自我充電 (Self-Refresh)：DRAM內部具有獨立且內建的充電電路於一定時間內做自我充電， 通常用在筆記型電腦或可攜式電腦等的省電需求高的電腦。

2.預充電時間 (CAS Latency)：通常簡稱CL。例如CL=3，表示電腦系統自主記憶體讀取第一筆資料時，所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統的效能並無顯著影響。

以CPU Z做介紹有幾項記憶體參數比較重要
1.CAS#Latency 2.0/2.5/3.0/3.0
2.RAS# to CAS# 2/3/4/5
3.RAS# Precharge 2/3/4/5
4.Time RAS# 5/6/8/10

參數由左至右，從小變大，效能由較好至較差。
DRAM參數越小代表效能越好，表示記憶體傳輸信號延遲越短且速度越快。

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同步:

亦即:K8 HTT頻率與DRAM時鐘信號頻率一致，當DRAM與CPU同步時，能減少CPU與DRAM不同步處理資訊下，等待DRAM傳送資料的信號延遲時間。

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最後是K8 3000+ 939配nForce3 晶片組 超頻的小技巧。

1.因為K8倍頻幾乎都是鎖死的，且僅能下修，不能上調，所以K8超頻幾乎只能從調高外頻下手。

2.一般K8體質都相當不錯，所以很多人直接將HTT上調250MHz，倍頻9，HT 4X。
剛好達成 HTT Link 1Ghz /CPU 22XXMhz。

3.此時需注意記憶體能否跟的上HTT高外頻的問題，記憶體跟不上者，可以將在Bios chipset 設定中 將DRAM定在166Mhz，此時外頻250Mhz，DRAM則從166拉升到204Mhz左右。亦即DDR408。

4.如果記憶體上不去者，也可以試著調鬆(大)記憶體參數以獲取較高的時脈。

5.有些人想嘗試突破250Mhz，此時需注意HT 倍率須由4X下修至3X。
超過1G的HTT Link需要看主機板的超頻性能與穩定性。
也跟MB layout與使用電容品質或PSU供電穩定有正相關。

6.超頻後，如果自認設定都正確無誤，仍然不能進系統或是在OS下不定時會當機，
可以嘗試對CPU或是DRAM加壓。有些版子甚至能對HTT LINK(北橋)加壓...
加壓幅度以不超過默認電壓值1/10為佳。



大致上先說明到這邊，最近因為PCDVD搜尋功能關閉，所以又浪費版面打了些廢言，
希望能給初玩K8的網友一些建議。還請見諒。