常常看到各位高手把記憶體設定調成最佳化都是談到:
CAS Latency
RAS Precharge
RAS to CAS Delay
Precharge Delay
好像沒提到Burst Length,請問Burst Length是什麼呢?你們都調4或8還是不用調??我的預設值是8
RAS Precharge跟RAS to CAS Delay週期要調一樣的嗎?
我的記憶體是創見ddr400茂矽顆粒的 我把他調2.5 3 3 8經過測試通過這樣沒問題嗎,你們茂矽的最佳化是多少呢?能超到250嗎?
還有我的記憶體安全電壓範圍是多少呢?因為我的p4p800會把cpu偷加壓不知會不會連記憶體也加壓
謝謝!!