記憶體的 CL 是可透過 programming 來改變的
例如 Hynix or Samsung 的 -4 為例 , CL 可選擇3 or 4 來跑
另外還有一些例如 tRFC , tRD , tWR ..等參數都是可變的
要從顆粒上看出CL 是不難,但是要知道 BIOS 內設定的 CL 是很難的