嗯．．．簡單的講,無論是ＢＪＴ或是ＭＯＳＦＥＴ 工作時都受溫度影響,以ＭＯＳＦＥＴ（ＭＥＴＡＬ－ＯＸＩＤＥ－ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ－ＦＩＥＬＤ－ＥＦＦＥＣＴ－ＴＲＡＮＳＩＳＴＯＲ）來說,其工作分為兩種,其一是triode region,其二是saturation region,MOSFET在這兩種工作範圍下的物理屬性大大不同,而triode region與saturation region的分界為Ｖｔ（這部分就只能自行去了解其物理結構啦）,而Vt對溫度很敏感,所以,ＭＯＳＦＥＴ的工作範圍是由對溫度很敏感的Vt所決定,是故它當然必須要保持一定範圍的溫度才能使它正常工作,這即是"temperture effect"
所以”MOSFET要散熱最大原因是素質不佳”這話對否？嗯．．．當您了解ｍｏｓｆｅｔ或是ｂｊｔ的物理結構屬性就能夠判斷啦