修正一下,我豬頭寫錯,CAS Latency(CL)寫成CAS Delay,對不起了
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說到RAM,現在SD-RAM已經淡出,就不說了,只說DDR-RAM,RAM(Random Acess Memory)跟ROM(Read Only Memory)不同之處,在於RAM一但沒有電力輸入,上面所存放的資料都會消失,所以RAM有需要不斷充電的特性以保持資料,所以也會有充電時的不反應期,因此之前的RAM在電壓每上升下降一次,就只能工作一次,現行的DDR(Double Data Rate)RAM則是在電壓上升跟下降時,各能工作一次,是故DDR400的RAM,在外頻設定200MHz時,就能跑400MHz的工作頻率(因為之前有看到新手在問外頻只能調200MHz,沒辦法跑DDR400,所以說明一下)
而在JEDEC這個國際標準組織所訂定的標準規格中,DDR200,DDR266,DDR333的標準工作電壓是2.5V,而DDR400標準工作電壓是2.6V,兩者並不相同,另外超頻下的最大電壓,之前在國外網站看到的是2.75V,在此電壓長期工作下,RAM尚能保持壽命
再來就是RAM參數的調整,首先,先來談RAM的工作方式,我們先把RAM劃分成一條條的列(ROW)跟一條條的行(Column)所組成的方格,也就是想玩五子棋時,我們會先把紙劃成一格一格的,這樣方便CPU定址定位,當CPU要讀取RAM上資料時,記憶體控制器會先送出列(ROW)的位址(例如第2列),然後RAM收到列的位置後,會經過一段時間,再傳送行(Column)的位址,這一段時間,就是RAS(Row Adress Strobe,列位址控制器)to CAS(Column Adress Strobe,行位址控制器)Delay,然後行位址收到後,接著等一段時間,才會將資料送到輸出器,這一段等待的時間就是CAS Latency,由於RAM的資料儲存方式,是以一列下去儲存,放滿了或是不夠放,才會換列,因此位置的傳送常常是(第2列,第2行),(第2列,第3行),(第2列,第5行)這種方式,因此列定址後,只有行在換,也就是說,一直在跑RAS to CAS Delay,等到行定址後,又要CAS Delay到資料輸送到輸出器,因此RAM的參數中以CAS Latency跟RAS to CAS Delay為最重要
另外RAM參數中還有RAS Precharge Time,這個就是我之前所說的,RAM需要充電,當列(Row)位置定址後,需要一段時間恢復,才能再接受下一次的列(Row)定址,這一段時間就是RAS Precharge Time
還有一個是RAM Active Timing,相信大家都聽過一條記憶體有分1bank跟2bank(不是單面雙面顆粒之分,這不一樣),當CPU在Bank1找完資料,Bank1便需要一段時間恢復才能再供利用,這一段時間就是RAM Active Timing
一般而言
CAS Latency大多是2.5或3,好的RAM才能到2
RAS to CAS Delay大多是3或4,好的RAM才能到2
RAS Precharge Time大多是3或4,好的RAM才能到2(但這個不重要)
RAM Active Timing大多是7或8(這個也不重要,但是原本7或8的值,請不要設成2,我看過新手設2,捏一把冷汗)