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回覆: QK武館之- 淺談DDR500與DDR400效能誰勝出 ?!主觀篇
引用:
Originally posted by qk4723
ㄜ.....小弟不愛吊書包跟各位大大廢話一堆,在此以簡潔明白的略為發表淺見~
首先讓大大們複習一下粗略的BIOS中"時序設定'(Timing)
DRAM(DRAM Prechareg):這一個選項是指DRAM的預先充電,是指針對記憶體的預先充電時間設定,記憶體多為動態隨機存取的記憶方式(也就是把總電源OFF了以後記憶體的記憶檔案也隨之消失)必須靠著持續的充電才能保住資料,設定從5到8個週期能調整,越低的設定充電的速度越快效能也相對提高!
RAS(P R S Precharge)列:記憶體的資料傳輸都是由"列"RAS開始,所以RAS的充電時間很重要,這一個項目是設定RAS"列"的充電間隔時間,設定有由2到4個週期,越低的設定整體效能越強 !
CAS latency(column address strobe)欄:CAS latency就是各位常常見到的CL值亦稱記憶體等待延遲時間,設定週期由2到3(有的更狠~CL1.5的)設定值越小,CPU存取記憶體資料的時間越短整體效能自然提高,不過越小的CL值需要優良的記憶體顆粒與模組製造商嚴謹的電路設計來搭配 !
RAS to CAS:這裡指的是由"列"RAS到"欄"CAS中間的等待存取時間,由於記憶體的存取順序都是先從"列"位址先開始其後才到"欄"位址,因此這中間的等待時間設定有2到4,越低的等待存取時間設定效能越好!(目前這一項能設定2而且穩超的,只有bh-5的顆粒)
時至今日的記憶體製造技術已達500MHz的運作時脈(顯卡更猛有850MHz的,DDRll也在後虎視眈眈!)雖然DDR500還未經官方 JEDEC(joint electron device engineering council)的嚴格測試與背書,但已然悄悄上市...
這會對DDR400產生市場與效能的衝擊嗎?
小弟認為雖然DDR500比DDR400多了100MHz的運作時脈,但這100MHz是否意味著能讓記憶體運作快上0.01秒整體效能往上直升嗎?
答案似乎是否定的,DDR500的預設電壓要比DDR400多了0.1,卻無法像DDR400只要2.55V的電壓就能達到5 2 2 2最佳化,DDR500最多只能8 3 3 2.5最佳化的設定!
有人常在版上問:8 4 4 2.5 By SPD 與 5 2 2 2 的效能會有差嗎?
小弟認為差天跟地嘍~
記憶體的充電時間與存取時間"如果能"最佳化至 5 2 2 2 的話,記憶體的運作最少能讓CPU等待記憶體存取時間最少少快要1秒,而DDR500多了100MHz 8 3 3 2.5 能讓CPU少等1秒嗎?以多100MHz來講似乎還不大可能,除非記憶體時脈能衝到800MHz以上!
因此在市面上所販賣的各廠各平台主機板在還未正式宣佈進入DDR500的時候,小弟建議現在還不是買DDR500的時候,一方面是實際效能比不上BH-5 DDR400的顆粒,另一方面是小弟觀察DDR500只是過渡時期的產品(因為主機板大廠及晶片組都未名正言順的宣佈支援DDR500),根據小弟多年來敗家經驗來觀察DDRll才將會是下一代正宗記憶體規格的主流!!
要買記憶體嗎??
DDR400還是目前的王喔!(當然是BH-5的顆粒啦!,DDR500只能讓您超爽度卻超不出極致效能!)
以上如有誤,或大大看了礙眼不爽的現象,小弟先道歉亦煩請不吝留言賜教 !
謝謝收看 !
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如果我沒記錯，記憶體的存取時間是以「奈秒」來計算，
應該不是以秒為單位 |