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【分享】國產elixir 4支x4海量16GB DDR3-1600(DDR3-1866、低電壓、XMP篇)
DDR3記憶體價錢一直down,單支DDR3 1333 4G模組不斷探底,連帶影響高一階DDR3 1600 4G模組價錢。
1年半前利用機會,特地衝了4支DDR3 1600 4G模組,把RAM擴增到8GB。坦白說,8GB記憶體應用VMware、Ramdisk軟體,我覺得不是不夠用,就剛剛好夠用,反正是小心一點開吃大量記憶體軟體。 看到站上好幾篇討論或有些大大分享購入的新DDR3 4G模組,對我而言,現在DDR3 1333 4G模組就沒吸引力,比較在意是DDR3 1600 4G模組,我接受兩種記憶體的價差。 心癢許久後決定,管它現在DDR3記憶體的買點高或低,鄉民的名言:早買早享受,晚買享折扣,特地上網拍衝了4支國產elixir DDR3 1600 4G模組。 打算一次插滿Z68AP-D3主機板,把RAM擴增到16GB。在這記憶體低迷時空下,這樣行為應該算是愛國表現之一。 ![]() M.I.T製,由廣穎做終身保固 ![]() 4支模組是同型號、規格 ![]() 記憶體模組用標準高度散熱片,這樣的好處是裝機時,保證不跟那種很威的塔式散熱器打架 ![]() 這4支國產elixir DDR3 1600 4G模組型號為M2X4G64CB8HG9N-DG ![]() 這次下訂前,網拍賣家回答這組記憶體支援Intel XMP,在INTEL平台可以選擇自動讀取記憶體模組中的SPD來執行DDR3-1866。等東西收到後,拍了幾張照片就放上Z68AP-D3測看看。 CPU:Intel Core i7 2600K預設3.40 GHz,8M Cache 主機板:Z68AP-D3 記憶體:elixir M2X4G64CB8HG9N-DG x4 硬碟:WD1002FAEX 顯示:GV-R685D5-1GD 作業系統:Windows 7 Ultimate SP1 64-bit Z68AP-D3插滿elixir M2X4G64CB8HG9N-DG記憶體,這次有16GB記憶體可以用了。elixir M2X4G64CB8HG9N-DG只有標準高度散熱片,搭上V6這種塔式散熱器,完全相處愉快。 ![]() 上機簡測時,我無視DDR3-1600規格以下,直接是標準的DDR3-1600。 BIOS畫面選擇Disable,這組記憶體模組實際的工作時脈是標準的DDR3-1600,記憶體模組電壓設定為標準1.5 V,vtt電壓設定為1.05 V。 ![]() 標準的DDR3-1600工作時脈下,時序設定值11-11-11-28 2T,對比記憶體模組SPD值,Z68AP-D3作了些微的調整,tRAS的欄位由30加快為28。 ![]() 作業系統裝了16GB記憶體,看看WIN7評估記憶體分數。 答案是7.8分,只是差了0.1分到頂,而且5個項目中冠軍,我滿意了。 ![]() ADIA64 V2.00.1709 beta 記憶體讀取 - 18209 MB/s 記憶體寫入 - 19326 MB/s 記憶體複製 - 21066 MB/s 記憶體潛伏 - 50 ns ![]() ![]() ![]() ![]() Sandra 2012 (18.10) 總體記憶體性能 - 21 GB/s ![]() MaxxMEM² - PreView Memory Copy - 20886 MB/s Memory Read - 18885 MB/s Memory Write - 18465 MB/s Reached memory score - 18.68 GB/sec Memory Latency - 59.1 ns ![]() BIOS畫面選擇Profile1,這組記憶體模組實際的工作時脈是X.M.P的DDR3-1600,記憶體模組電壓設定為標準1.5 V,vtt電壓設定為1.5 V。 ![]() X.M.P的DDR3-1600工作時脈下,時序設定值9-9-9-28 2T,對比記憶體模組SPD值相同。 HWiNFO64軟體檢測記憶體電壓為1.536 V。 ![]() ADIA64 V2.00.1709 beta 記憶體讀取 - 18731 MB/s 記憶體寫入 - 19304 MB/s 記憶體複製 - 20946 MB/s 記憶體潛伏 - 46.8 ns ![]() ![]() ![]() ![]() Sandra 2012 (18.10) 總體記憶體性能 - 21 .3 GB/s ![]() MaxxMEM² - PreView Memory Copy - 21556 MB/s Memory Read - 19840 MB/s Memory Write - 18804 MB/s Reached memory score - 19.32 GB/sec Memory Latency - 54.2 ns ![]() BIOS畫面選擇Profile2,這組記憶體模組實際的工作時脈是X.M.P的DDR3-1866,記憶體模組電壓增加為1.65 V,連vtt電壓設定也增加為1.65 V。 ![]() X.M.P的DDR3-1866工作時脈下,時序設定值11-11-11-32 2T,對比記憶體模組SPD值,Z68AP-D3作了些微的調整,tRAS的欄位由43加快為32,command Rate(CR)欄位由3T加快為2T。 HWiNFO64軟體檢測記憶體電壓為1.656 V。 ![]() ADIA64 V2.00.1709 beta 記憶體讀取 - 20146 MB/s 記憶體寫入 - 19748 MB/s 記憶體複製 - 22858 MB/s 記憶體潛伏 - 45 ns ![]() ![]() ![]() ![]() Sandra 2012 (18.10) 總體記憶體性能 - 24.36 GB/s ![]() MaxxMEM² - PreView Memory Copy - 22063 MB/s Memory Read - 21407 MB/s Memory Write - 19150 MB/s Reached memory score - 20.28 GB/sec Memory Latency - 53.1 ns ![]() DDR3-1600、X.M.P DDR3-1600、X.M.P DDR3-1866自動設定的效能評測 ↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑ |
手調的樂趣(一):低電壓低功耗達成DDR3-1600、X.M.P DDR3-1600
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這年頭,什麼都要環保減碳,連記憶體也來參一腳,市面上就標榜「低電壓」DDR3記憶體。以目前主流DDR3-1333或1600記憶體的標準電壓是1.5 V,這類「低電壓」DDR3記憶體可以不需這麼高電壓。 elixir M2X4G64CB8HG9N-DG是標準電壓的DDR3-1600記憶體,想要低電壓低功耗就只能手調。 花了幾天不斷嘗試,整理DDR3-1600、X.M.P DDR3-1600環境下的結果,總結 出這組記憶體可以只需電壓1.36 V穩跑,兩組工作時脈只更動CR值加快為1T。 ![]() 標準的DDR3-1600工作時脈下,時序設定值11-11-11-28 1T,HWiNFO64軟體檢測記憶體電壓為1.356 V。 ![]() ADIA64 V2.00.1709 beta 記憶體讀取 - 18037MB/s 記憶體寫入 - 18967 MB/s 記憶體複製 - 20591 MB/s 記憶體潛伏 - 49.8ns ![]() ![]() ![]() ![]() Sandra 2012 (18.10) 總體記憶體性能 - 21.1 GB/s ![]() MaxxMEM² - PreView Memory Copy - 20610 MB/s Memory Read - 18902 MB/s Memory Write - 17831 MB/s Reached memory score - 18.37 GB/sec Memory Latency - 59.3ns ![]() X.M.P的DDR3-1600工作時脈下,時序設定值9-9-9-28 1T,HWiNFO64軟體檢測記憶體電壓為1.356 V。 ![]() ADIA64 V2.00.1709 beta 記憶體讀取 - 18936MB/s 記憶體寫入 - 19304 MB/s 記憶體複製 - 20935 MB/s 記憶體潛伏 - 45.5 ns ![]() ![]() ![]() ![]() Sandra 2012 (18.10) 總體記憶體性能 - 21.47 GB/s ![]() MaxxMEM² - PreView Memory Copy - 21458 MB/s Memory Read - 20171 MB/s Memory Write - 18803 MB/s Reached memory score - 19.49 GB/sec Memory Latency - 53.2 ns ![]() 低電壓低功耗達成DDR3-1600、X.M.P DDR3-1600 ↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑↑ |
桌布請秀一下..., 拜託...
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引用:
桌布是01車壇的突破理性邊緣 BMW Z4 sDrive 35i一文,找一下就有 :like: |
手調的樂趣(二):尋找X.M.P DDR3-1866更低時序與低電壓
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想要記憶體獲得更多效能,只能往更高工作時脈與更低一點延遲嘗試。 因為Sandy Bridge處理器的外頻可超幅度不高,記憶體工作時脈可玩性受限,換成X58或更早P55平台,甚至是AMD平台,記憶體工作時脈的調整彈性較高。 一路玩下來這組記憶體,在i7 2600K搭 Z68AP-D3平台上,不論是放寬CL值或增加工作電壓到1.7 V,再上一級的DDR3-2133工作時脈就是吃不到。那只能試試X.M.P的DDR3-1866有沒有更低一點延遲,獲得記憶體更多一點整體效能。 同樣到BIOS畫面選擇Profile2,使得這組記憶體模組實際的工作時脈是X.M.P的DDR3-1866,記憶體模組電壓增加為1.65 V,連vtt電壓設定也增加為1.65 V。 接著在Z68AP-D3主機板提供的記憶體各項時序設定逐一調整。每次調整設定後,還要LinX 0.6.4來判定高時脈低時序下的穩定性。 ![]() 經過失敗好多次,總算試出這組記憶體模組在X.M.P的DDR3-1866工作時脈下還是有更低時序,由原來11-11-11-32 2T來到9-10-9-32 1T。 搞定記憶體時序後,著手逐一降低記憶體模組電壓,沒有更動vtt電壓。一路由1.65 V調至1.6 V,HWiNFO64軟體檢測記憶體電壓為1.596 V,可以通過LinX 0.6.4穩定測試。 ![]() ADIA64 V2.00.1709 beta 記憶體讀取 - 20908MB/s 記憶體寫入 - 19766 MB/s 記憶體複製 - 22796 MB/s 記憶體潛伏 - 41.3 ns ![]() ![]() ![]() ![]() Sandra 2012 (18.10) 總體記憶體性能 - 24.89 GB/s ![]() MaxxMEM² - PreView Memory Copy - 22377 MB/s Memory Read - 22281 MB/s Memory Write - 19158 MB/s Reached memory score - 20.72 GB/sec Memory Latency - 49.3 ns ![]() 再次降低記憶體模組電壓,由1.6 V調至1.5 V,HWiNFO64軟體檢測記憶體電壓為1.524 V。 可惜是無法通過LinX 0.6.4穩定測試,在測試最後出現錯誤。 ![]() 小小心得: 一路玩下來的感覺,這組記憶體時序設定值很鬆,或許是為了相容性。對於追求更快記憶體工作時脈的人,這組記憶體極限應該就是落在加電壓上DDR3-1866,再上更快速度的空間有限。 人家說記憶體體質比較好,才能低電壓穩定運作,有錯請更正。那這組也能算是低電壓記憶體,DDR3-1600可以在1.36 V運作,跟其他人分享過的低電壓記憶體很接近,看測試知道電壓低一點也不影響記憶體效能。 這組記憶體在DDR3-1866,時序為9-10-9-32 1T,各項分數優於其他設定,不過是犧牲低電壓換來,記憶體低電壓只能設由1.65 V調至1.6 V。 一不小心跑了一堆記憶體分數,我承認這麼多記憶體不是拿來跑分數,主要還是因應VMware、Ramdisk之用。暫時到這裡告一段落,繼續去規劃分配哪幾套軟體如何享用16GB記憶體。 |
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