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三星NAND新廠投入營運 20奈米級DRAM開始量產
http://news.cnyes.com/Content/20110...adline_sitehead
鉅亨網編譯吳國仲 綜合外電 2011-09-22 11:35 三星電子 (005930-KR) 周四宣布,設在南韓的 NAND 快閃記憶晶片新廠正式投入營運。該公司同時表示,已啟動 20 奈米級製程的 DDR3 DRAM 量產,可望提高生產效率並降低能源消耗。 三星聲明表示,位在南韓京畿道的新廠 16 產線 (line-16),去年 5 月開始建造,今年 5 月完成無塵室的設備安裝。 三星表示,公司計畫加快生產 NAND 快閃記憶體以因應市場需求,明年也將開始採用更先進的 10 奈米製程等級的技術生產晶片。 NAND 快閃記憶晶片,廣泛用於音樂播放器及數位相機等行動設備的資料儲存;DRAM 則多見於個人電腦。 ======================================================== 單條八G的時代會來嗎? |
引用:
正常的條件下 Samsung一個新DRAM製程由公佈開始量產到真的可以成為生產主力 需要9-12個月 而且還要考慮市況 目前NAND Flash競爭比DRAM激烈 價格也較好一點 個人認為Samsung會優先生產NAND Flash的機率高點 所以要看到8G模組成為消費市場的主力 在未來一年有難度 |
引用:
不過三星20nm一出∼台灣因該是篤定沒機會翻身了吧...... |
引用:
不會那麼快,但台灣記憶體廠的無薪假會優先到來 :jolin: 。 |
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真的是無薪假的話可能還好..... 如果是無薪班該怎麼辦 |
引用:
不會有班可上的... |
引用:
那就大杯沙士不加鹽了 :cry: |
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