記憶體參數的意思?
 

常看版上大家說 調成2.5-3-3-7(舉例)
請問這4個數字代表什麼意思?
SPD又代表什麼呢?

關於記憶體參數
2.5-3-3-7

CAS# latency 2.5
RAS# to CAS# Delay 3
Min RAS# active time 3
Row precharge Time 7

解釋如下:

CAS# latency (Tcl)
全名:預充電時間 (CAS Latency)：通常簡稱CL。
例如CL=3，表示電腦系統自主記憶體讀取第一筆資料時，所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統的效能並無顯著影響。

RAS# to CAS# Delay (Trcd)
全名:列控制器至行控制器傳輸延遲(Row Adress Strobe,列位址控制器)to CAS(Column Adress Strobe,行位址控制器) 。
記憶體控制器會先送出列(ROW)的位址(例如第2列)，然後RAM收到列的位置後，經過一段時間，才會再傳送行(Column)的位址，而這一段時間就是RAS Delay


Min RAS# active time(Tras)
又稱RAM Active Timing(記憶體活躍延遲，我硬翻的..)
一般記憶體模組有分1bank跟2bank(非單面雙面顆粒之分)，當CPU在Bank1找完資料,Bank1便需要一段時間恢復才能再供利用,這一段時間就是RAM Active Timing。


Row precharge Time (Trp)
全名:自我充電時間 (Self-Refresh)。DRAM內部具有獨立且內建的充電電路，並於一定時間內做自我充電， 通常用在筆記型電腦或可攜式電腦等的省電需求高的電腦。

SPD為記憶體模組廠出廠預設值，功用為開機時，免去Bios偵測DRAM各項參數，
直接讀取SPD值，節省開機時間。

熱心的水舞大又被召喚出來了…(大心)
特來推一下(助跑飛踹)
:shy:

啊..我也只也能在發問文上回文...

很多高深的技術與知識，小的也只是新手，所以秉持互相幫忙的精神咩

(想賺文廢話一推..逃

(抓住)(歐)
在下忽然發現那個是某大大的k8超頻經典文章中的小節錄啊啊!!
(謎之聲：不就是水舞風影的嘛…切)
在下：姆…多嘴!>Q<
(明天要考演算法，卻在PC-DVD上飄移的人)

星期六要考研究所的人，現在也在這漂移中....

唔!!被發現了.....那就是傳說中的節錄大法!!

通常RAS to CAS delay最能看出一對ram好不好
這也影響到Max async latency和Read Preamble 的設定

感謝水舞大大ㄟ...這問題我問好久了...
只是你的解說太...太專業了
如果能白話點...相信我們這些新手會比較容易看得懂 QQ"

感謝水舞兄的解釋
通常照SPD跑的都比較保守
想要最佳化就是要自己一個一個測試囉?

我...我會改進的^^|||
等我考完試，有空來幫你解決超頻的問題吧..