為何CPU轉進0.09微米製程後，溫度不降反升
 

為何呢？

小弟學識淺薄，不知道為何這樣？
P4可能是因為換核心設計，那如果現在P4E的P核心用.13製程
以及P4C的北木核心用0.09製程，結果又會如何？

至於AMD，用0.09的939的K8，溫度也上升了
只是升的好像不多，只有幾度...

有人可以說說為何CPU轉進0.09微米製程後，溫度不降反升嗎？....謝謝

簡單的講, 當製程尺度縮小時, 邏輯閘的電場效應導致消耗更多的電能. 於是就產生更多的熱了.
就好像兩根磁鐵, 你如果要讓這兩根磁鐵同一極相互靠近的話, 就要用更大的力氣一樣.

N N N N N
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斥力大 (兩者距離接近)
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N N N N N

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N N N N N
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斥力小 (兩者距離遠時)

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N N N N N



上圖縮小距離時, 需要花更多的力氣才可以讓兩根磁鐵更靠近.
而半導體的結構, 也是跟這個情況相似的.
當然在半導體內, 不止"電場"的效應會增加發熱而已,只是舉一個比較簡單的例子說明而已.

對了, 順道一提. 以上的例子也許直覺上會認為, 當製程尺度縮小時, 我們應該要加更大的電壓才能運作. 但是因為半導體元件中, 受到太多的因子所影響. 而當製程尺度縮小時, 實際運作電壓是下降的. (也必須下降)不然無法克服其他的問題.

誰叫INTEL喜歡玩時脈大戰...如果不玩時脈大戰的話...同時脈下 INTEL 不會比 AMD 耗電
耗電量越大..所以說排放的熱會越大...所以越熱...
這叫自作孽不可活...還是老話一句...該是把P-M搬出來桌上用了...
我記得教授有教..不過沒注意聽...好像是漏電的原因吧..

轉進90奈米後，本來製程精進，有助於運作時脈的提昇，
電晶體閘極變小，操作電壓也跟著變小，功率消耗應該會變小。
但由於時脈的飆升，及漏電流的問題相對來說越來越嚴重，
這部分對功率消耗也有不少貢獻。

當然intel一定有針對這點做改善，只是看得出來，
漏電流所產生的功率消耗應該是很嚴重的(光這點就是要一直努力的課題了)
相對於AMD而言，他的時脈又更快，問題只會更嚴重
當然還有其他因素:如電晶體越塞越多等等，這些加一加
把操作電壓下降的好處都抵銷光了，當然...電壓下降也有壞處，　
就不提了

intel把4GHz的目標停止了，主因還是在power這一項阿。
引述一下intel的話:
"Transistors (and silicon) are free. Power is the only real limiter"

不過我相信，4GHz(or higher)一定會出現，只是時間的問題罷了

製程精進的結果是臨界電壓降低, 所以更容易 turn on電晶體

但是相對地, 要把電晶體保持在saturation region就比較麻煩
所以一些cascode的電路方式就不是完全適用

呵呵~~可能是高時脈,高電壓的原因吧...

高時脈就算了....哪來的高電壓???P4E可是目前intel桌上型電壓最低的.... :jolin:

K8的部份, 轉進90nm製程之後耗電量其實下降了
至於溫度卻會上升, 應該是因為散熱面積變小了(Die變小)

intel的Prescott是核心設計失敗非製程之罪
這點intel自己承認
AMD的k8在轉進.09製程之後TDP由89W大幅下降到67W
溫度方面由國外的Anand和Tech-report測試都比.13的略低幾度
只有白爛的對岸HKEPC才會測出.09的A64比較熱
還整天亂放話說.09的A64在3500+以上TDP超過89W
HKEPC的測試文章不看也罷
對k8的測試只能以不公平中的不公平來形容
另外編輯素質也差,還有嚴重偏向intel的嫌疑
發FUD暗桶AMD
如之前的A64非64bit事件和AMD隱瞞BUG事件
都是從HKEPC裡面流出來的
根本就是一派胡言的一個爛網站,缺乏公信力