[問題]記憶體顆粒的差別？
 

請問各位高手：

我在討論區上經常看到有高手提到記憶體的顆粒，就同一個廠牌的記憶體模組，不知道顆粒的不同有什麼差別？

再請問就目前市面上平價的512MB的記憶體模組，哪一廠牌、顆粒的記憶體模組較好？

我是個小小的初心者，希望各位高手能夠賜教，非常感謝！！

真不好意思∼∼
個人才疏學淺，還望各位高手多多指教。
非常感謝！！

什麼顆粒都一樣，都是記憶體，只是可超性不一樣吧(體質好或不好)。好的顆粒延遲低可超性大，差的顆粒可超性低相容性也低。目前最好的記憶體顆粒就是三爽的TCCD。

至於哪一牌的記憶體較好小弟就沒本事回答你了，小弟目前的電腦是用SDRAM......。

另外，我不是高手。以上有講錯請指正，謝謝。

顆粒廠牌/型號(如之前熱烈討稐的WINBOND BH-5)，封裝方式都影響記憶體的表現。
但除上述之外，一條好的模組還會強調顆粒間的信號同步性及被動元件的使用，而不是只是將同型號的裝一起。

要保固，買創見的記憶體，但是不要想要超什麼，創見就是賣保固，有問題直接換給你。

要超頻，又要便宜，那威剛(ADATA) 的 hynix-43 顆粒可以考慮，超頻性能不錯。

感謝各位高手的回覆！

看來記憶體模組上顆粒的不同好像有很大的影響。
我這個初心者也不會超頻，所以依照 bob0123 高手的建議，選擇創見的記憶體模組。
我在創見的網站上看到，同樣是 512MB 的記憶體模組，卻有兩種不同的 P/N ？
下載 Datasheet 來大略了一下看後〈我的英文能力很差，所以也看不太懂〉，發現 CL 有分為 2.5、3 外，在文件的第一行上也有 64M*64bits 及 32M*64bits 的不同。

不知道這代表著什麼差別？希望各位高手能夠抽空幫忙解惑，非常感謝！！

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參考網站：
Welcome to Transcend website
參考文件：
創見 512MB DDR 400 P/N:TS64MLD64V4F Datasheet
創見 512MB DDR 400 P/N:TS64MLD64V4F3 Datasheet

CL 2.5 的比較好，反映時間比較短。